[实用新型]一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置有效
申请号: | 201821863344.5 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN208995596U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张跃飞;屠金磊 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 王海燕 |
地址: | 100000 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空室 收卷 沉积 原子层沉积 磁流体 放卷 卷绕装置 双面镀膜 放卷辊 间歇式 收卷辊 本实用新型 放卷真空室 伺服电机 放卷磁粉离合器 收卷磁粉离合器 加热器 室内 交错设置 上下两侧 抽气口 热电偶 基带 匀气 缠绕 | ||
本实用新型公开一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置,包括沉积真空室,沉积真空室两端连接放卷真空室和收卷真空室,放卷真空室内设置有放卷辊,放卷辊连接有放卷磁流体,放卷磁流体通过放卷磁粉离合器连接有放卷伺服电机;收卷真空室内设置有收卷辊,收卷辊连接有收卷磁流体,收卷磁流体通过收卷磁粉离合器连接有收卷伺服电机;放卷辊和收卷辊上用于缠绕基带;沉积真空室上下两侧分别交错设置有多个热电偶和加热器;沉积真空室上设置有匀气座;沉积真空室、放卷真空室和收卷真空室上分别开设有抽气口。本实用新型提供的原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置,后使原子层沉积简单方便,效率高。
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积技术领域,特别是涉及一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置。
背景技术
近年来由于纳米器件的制备需求,原子层沉积(ALD)逐渐受到产业界的重视,有越来越多的研究投入。ALD利用前驱物气体与基体表面所产生的自限制反应与基体表面发生单层化学吸附后,反应气体不再与表面发生反应,所以成长厚度可以控制,且均匀性极佳。故近年来ALD技术逐渐应用在环境与能源领域、微电子领域、催化领域等。
随着社会实际需求和ALD工艺的发展,ALD技术已在大面积基底和连续沉积方面显示出巨大的应用前景。例如在太阳能领域,ALD工艺制造的Al2O3薄膜作为太阳能电池的钝化层,能够将电池转化光能的效率提到20%以上。在柔性电子领域,纳米级别厚度的ALD薄膜可以有效地隔离电子器件周围水和氧,从而极大地提高柔性电子器件的使用寿命和可靠性。在锂离子电池领域,ALD工艺在锂负极方面,能在锂金属表面形成一层有效的无机或有机保护膜,从而避免锂金属与液态电解质的直接接触与反应;另外,这层保护膜也起到有效的抑制锂金属枝状生长的效果,从而提高锂电池的安全性能;在锂正极方面,ALD工艺同样广泛应用,例如将层状钴酸锂作为正极材料,层状钴酸锂作为锂离子电池的正极材料时,使得该正极材料性能稳定,循环性能和安全性较高,从而应用广泛。但是目前,对于ALD技术的相关设备简陋,工作效率不高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置,以解决上述现有技术存在的问题,使原子层沉积简单方便,效率高。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:
本实用新型提供一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置,包括沉积真空室,所述沉积真空室两端分别连接有放卷真空室和收卷真空室,所述放卷真空室内设置有放卷辊,所述放卷辊连接有放卷磁流体,所述放卷磁流体通过放卷磁粉离合器连接有放卷伺服电机;所述收卷真空室内设置有收卷辊,所述收卷辊连接有收卷磁流体,所述收卷磁流体通过收卷磁粉离合器连接有收卷伺服电机;所述放卷辊和收卷辊上用于缠绕基带;所述沉积真空室上下两侧分别交错设置有多个热电偶和加热器;所述沉积真空室上设置有匀气座;所述沉积真空室、放卷真空室和收卷真空室上分别开设有抽气口。
可选的,所述热电偶和加热器包括依次交错设置于所述沉积真空室底部的第一热电偶、第一加热器、第二热电偶、第二加热器、第三热电偶和第三加热器以及依次交错设置于所述沉积真空室顶部的第四热电偶、第四加热器、第五热电偶、第五加热器、第六热电偶和第六加热器。
可选的,所述抽气口包括放卷室抽气口、收卷室抽气口、沉积真空室第一上抽气口、沉积真空室第一下抽气口、沉积真空室第二上抽气口和沉积真空室第二下抽气口。
可选的,所述放卷辊端部连接有放卷从动齿轮,所述放卷从动齿轮啮合有放卷主动齿轮,所述放卷主动齿轮通过所述放卷磁流体和放卷磁粉离合器与所述放卷伺服电机连接。
可选的,所述收卷辊端部连接有收卷从动轮,所述收卷从动轮啮合有收卷主动轮,所述收卷主动轮通过所述收卷磁流体和收卷磁粉离合器与所述收卷伺服电机连接。
可选的,所述放卷伺服电机通过放卷电机支架与所述放卷磁粉离合器连接;所述收卷伺服电机通过收卷电机支架与所述收卷磁粉离合器连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的