[实用新型]一种具有平衡电极的LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种具有平衡电极的LED芯片，包括衬底、设置在衬底上的发光结构、绝缘层、N电极和P电极，刻蚀发光结构至第一半导体层的第一孔洞和第二孔洞，所述第一孔洞和第二孔洞将发光结构分成第一发光结构和第二发光结构，所述绝缘层设置在第一发光结构的反射层上并延伸至第一发光结构的侧壁上，所述P电极贯穿所述绝缘层并设置在第一发光结构的反射层上，所述N电极设置在第二发光结构的反射层上并沿着第二发光结构的侧壁延伸至第一半导体层上，所述N电极和P电极在反射层上的厚度相同。本实用新型的N电极和P电极在同一平面上，防止电极与基板之间发生焊接孔洞，提高焊接良率。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有平衡电极的LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

倒装LED芯片和正装LED芯片相比，具有电流分布均匀、散热好、电压降低、效率高等诸多优点。因此，倒装LED芯片被提出后，迅速受到广泛的关注，并取得了一系列进展。但是，和正装LED芯片相比，倒装LED芯片在进行共晶焊接固晶时需要使用锡膏焊接或者共晶焊接的方式将芯片焊接到做好布线连接的基板上，但是传统的芯片由于需要刻蚀出N型导电层，并在上面沉积N电极金属，因此导致N电极和P电极之间存在1.2微米左右的高度差，在使用锡膏焊接或者共晶焊接的时候，在较低的N电极上容易产生焊接空洞不良，从而影响封装器件的可靠性。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种具有平衡电极的LED芯片，N电极和P电极在同一平面上，防止电极与基板之间发生焊接孔洞，提高焊接良率。

本实用新型还要解决的技术问题在于，提供一种具有平衡电极的LED芯片，N电极和P电极对称分布在芯片的两侧，使电极在焊接时受力均匀，防止电极发生断裂，提高焊接良率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有平衡电极的LED芯片，包括衬底、设置在衬底上的发光结构、绝缘层、N电极和P电极，所述发光结构包括依次设置衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和反射层，刻蚀发光结构至第一半导体层的第一孔洞和第二孔洞，所述第一孔洞和第二孔洞将发光结构分成第一发光结构和第二发光结构，所述绝缘层设置在第一发光结构的反射层上并延伸至第一发光结构的侧壁上，所述P电极贯穿所述绝缘层并设置在第一发光结构的反射层上，所述N电极设置在第二发光结构的反射层上并沿着第二发光结构的侧壁延伸至第一半导体层上，所述N电极和P电极在反射层上的厚度相同，以将N电极和P电极的表面在同一平面上。

作为上述方案的改进，所述第一发光结构和第二发光结构的面积比例为2:1。

作为上述方案的改进，所述N电极和P电极对称设置在LED芯片上。

作为上述方案的改进，所述N电极和P电极的面积相同。

作为上述方案的改进，所述第一孔洞和第二孔洞的直径相同。

作为上述方案的改进，所述反射层为金属反射层。

作为上述方案的改进，所述反射层为Ag/Ni/Ni叠层。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型通过第一孔洞和第二孔洞来将发光结构分成第一发光结构和第二发光结构，同时在第一发光结构上形成P电极，在第二发光结构上形成N电极，从而使得N电极和P电极在同一平面上，解决了现有LED芯片N电极和P电极高度不一致问题，解决了芯片电极在焊接发生的空洞率问题，提高了封装器件的可靠性，同时又便于芯片封装。