[实用新型]雪崩光电探测器以及激光雷达系统

权利要求书

1.一种用于激光雷达系统的雪崩光电探测器，其特征在于，所述雪崩光电探测器包括：

芯片衬底；

外延功能层，所述外延功能层设置在所述芯片衬底的一侧表面；所述外延功能层包括圆形感光区域，所述感光区域的直径范围为100μm～300μm；

第一电极，所述第一电极设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面；

第二电极，所述第二电极设置在所述芯片衬底的另一侧表面。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层包括依次设置在所述芯片衬底上的缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层以及接触层；

其中，所述吸收层为InGaAs吸收层。

3.根据权利要求2所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层具有Zn扩散区，所述Zn扩散区包括第一扩散区域以及包围所述第一扩散区域的第二扩散区域；

所述第一扩散区域的扩散深度为H1，所述第二扩散区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；

其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。

4.根据权利要求2所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述吸收层的厚度小于3.5μm。

5.根据权利要求2所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述芯片衬底为N型半绝缘InP衬底；所述缓冲层为InP缓冲层；过渡层为InGaAsP过渡层；所述场控层为InP场控层；所述顶层为InP顶层；所述接触层为InGaAsP接触层。

6.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面设置有钝化膜，所述钝化膜包围所述感光区域，所述钝化膜与所述感光区域之间具有第一电极通孔，所述第一电极通过所述第一电极通孔与所述外延功能层电接触。

7.根据权利要求6所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述钝化膜包括层叠的氮化硅层与氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述感光区域表面覆盖有增透膜。

9.根据权利要求1-8任一项所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述感光区域的直径为200μm。

10.一种激光雷达系统，其特征在于，所述激光雷达系统包括：如权利要求1-9任一项所述的雪崩光电探测器。