[实用新型]基片处理装置有效
申请号: | 201821724128.2 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN209000877U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 田中幸二;池田贵志;益富裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理液供给 喷嘴 基片处理装置 基片处理 处理液 调压板 蚀刻 本实用新型 划分区域 排出口 喷嘴排 排出 流通 | ||
本实用新型提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方,从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间,具有使处理液流通的多个孔,调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外,调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
技术领域
本实用新型的实施方式涉及一种基片处理装置。
背景技术
一直以来,已知例如将使氮气等作为气泡混合而得的处理液供给到处理槽的基片处理装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-69529号公报
实用新型内容
实用新型想要解决的技术问题
然而,在上述基片处理装置中,在利用混合有气泡的处理液对基片进行均匀的处理这一点上存在改善的余地。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的目的在于,提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。
实施方式的一个方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方,从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间,具有使处理液流通的多个孔,调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外,调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出的将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
实用新型效果
依照实施方式的一个方式,能够均匀地蚀刻基片。
附图说明
图1是第一实施方式的基片处理装置的概略平面图。
图2是表示第一实施方式的蚀刻用的处理槽的供给系统的结构的概略块图。
图3是第一实施方式的调压板的概略平面图。
图4是图3的IV-IV概略截面图。
图5是表示从处理液供给喷嘴排出的蚀刻液包含的气泡的状态的概略示意图。
图6是第一实施方式的整流板的概略平面图。
图7是变形例的整流板的概略平面图。
图8是第一实施方式的气泡产生部的概略结构图。
图9是第二实施方式的调压板的概略平面图。
图10是第三实施方式的调压板的概略平面图。
图11是表示第四实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的概略块图。
图12是表示第四实施方式的气泡产生部的结构的概略结构图。
图13是从蚀刻液的流动方向观察第五实施方式的气泡产生部的概略正面图。
图14是图13的XIV-XIV的概略截面图。
图15是表示从图13所示的状态使混入部旋转90度的气泡产生部的图。
图16是图15的XVI-XVI的概略截面图。
图17是从蚀刻液的流动方向观察变形例的气泡产生部的概略正面图。
图18是图17的XVIII-XVIII的概略截面图。
附图标记说明
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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