[实用新型]一种湿法蚀刻装置有效
| 申请号: | 201821724016.7 | 申请日: | 2018-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN208796968U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 张剑鸣 | 申请(专利权)人: | 苏州慧桥自动化设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻槽 腐蚀液 连接管 活塞 蚀刻材料 湿法蚀刻装置 本实用新型 夹持机械臂 湿法蚀刻 加压泵 挡环 底端 阀门 气泵 连通 固定连通 软管连通 出液端 传统的 进液端 上端 内壁 抬升 液位 | ||
本实用新型公开了一种湿法蚀刻装置,包括蚀刻槽和固定安装在蚀刻槽上端的夹持机械臂,所述蚀刻槽内壁的中部固定设有液位挡环,所述挡环下端的蚀刻槽内活动设有活塞,所述活塞两侧的蚀刻槽上均连通有连接管,所述连接管的进液端固定连通腐蚀液箱,且腐蚀液箱内设有加压泵,且连接管的出液端连通设有阀门,所述蚀刻槽的底端通过软管连通有气泵。本实用新型在对蚀刻材料湿法蚀刻时,通过传统的夹持机械臂将蚀刻材料固定在蚀刻槽内,然后通过一侧的加压泵将其中一种腐蚀液注入到蚀刻槽内,然后关闭该侧连接管上的阀门,通过气泵向蚀刻槽底端注入空气,从而将活塞向上抬升,将腐蚀液提升到蚀刻材料处,对其进行湿法蚀刻。
技术领域
本实用新型涉及湿法蚀刻装置技术领域,具体为一种湿法蚀刻装置。
背景技术
湿式蚀刻的化学反应属于液相与固相的反应。当湿蚀刻进行动作的时候,首先,溶液里的反应物将利用扩散效应来通过一层厚度相当薄的边界层,以达到被蚀刻薄膜的表面。然后,这些反应物将于薄膜表面的分子产生化学反应,并生成各种生成物。这些位于薄膜表面的生成物,也将利用扩散效应而通过边界层到溶液里,而后随着溶液被排出。
现有的湿式蚀刻通常在蚀刻槽内进行,而在进行湿蚀刻时,往往需要对蚀刻材料进行多道工序的蚀刻,这时候就需要将蚀刻材料反复提出,更换腐蚀液,增加了工序的复杂度,降低加工的效率,为此我们提出一种湿法蚀刻装置用于解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种湿法蚀刻装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种湿法蚀刻装置,包括蚀刻槽和固定安装在蚀刻槽上端的夹持机械臂,所述蚀刻槽内壁的中部固定设有液位挡环,所述挡环下端的蚀刻槽内活动设有活塞,所述活塞两侧的蚀刻槽上均连通有连接管,所述连接管的进液端固定连通腐蚀液箱,且腐蚀液箱内设有加压泵,且连接管的出液端连通设有阀门,所述蚀刻槽的底端通过软管连通有气泵。
优选的,所述挡环的内圈层圆台结构,其上端开口直径大于下端开口直径。
优选的,所述活塞包括活塞块和防腐蚀密封层,所述防腐蚀密封层覆盖包裹在活塞块的外侧,且防腐蚀密封层紧密贴合在蚀刻槽的内壁上。
优选的,所述活塞块上端的形状与挡环内圈的形状相吻合。
优选的,所述连接管的出液端位于挡环下端。
优选的,所述腐蚀液箱的数量为两个,且该两个腐蚀液箱内均盛放腐蚀液。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型在对蚀刻材料湿法蚀刻时,通过传统的夹持机械臂将蚀刻材料固定在蚀刻槽内,然后通过一侧的加压泵将其中一种腐蚀液注入到蚀刻槽内,然后关闭该侧连接管上的阀门,通过气泵向蚀刻槽底端注入空气,从而将活塞向上抬升,将腐蚀液提升到蚀刻材料处,对其进行湿法蚀刻,当需要更换不同的腐蚀液时,通过气泵向外抽去空气,使活塞向下移动,使腐蚀液流回到对应的腐蚀液箱内,再通过另一侧的加压泵将另外一种腐蚀液注入到蚀刻槽内,对蚀刻材料进行湿法蚀刻,从而避免了蚀刻槽内液体反复更换。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型中蚀刻槽内注液结构示意图。
图中:1蚀刻槽、101挡环、2夹持机械臂、3活塞、31活塞块、32防腐蚀密封层、4连接管、401阀门、5腐蚀液箱、501加压泵、6气泵、601软管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





