[实用新型]一种用于吸取PD阵列芯片的吸嘴有效
申请号: | 201821639122.5 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN209471944U | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 宋小飞 | 申请(专利权)人: | 大连优迅科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙) 21236 | 代理人: | 朱国芳 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸嘴 芯片 本实用新型 避空部 贴装 歪斜 光电领域 区域位置 凹槽式 触碰 凸起 吸住 开口 支撑 保证 | ||
本实用新型涉及光电领域,具体涉及一种ROSA贴装过程中用来吸取PD阵列芯片并将其转移至指定位置的吸嘴。提出了一种用于吸取PD阵列芯片的吸嘴,吸嘴上设置有多个凹槽式的避空部,相邻两个避空部之间设置有凸起的支撑部,所述避空部的位置与PD阵列芯片上的不可触碰区域位置一一对应。相比现有技术中的吸嘴,本实用新型的吸嘴使用过程中与芯片的接触面积更大,本实用新型的吸嘴吸取芯片后和芯片之间的开口也会比现有吸嘴更小,维持芯片被平稳吸住的真空度更小一些,而且本实用新型的吸嘴与芯片的四周都有接触,可以保证芯片被平稳的吸在吸嘴上,较小的外力不会使芯片发生歪斜,有利于提高贴装效率。
技术领域
本实用新型涉及光电领域,具体涉及一种ROSA贴装过程中用来吸取PD 阵列芯片并将其转移至指定位置的吸嘴。
背景技术
在ROSA的生产过程中需要进行芯片贴装,在芯片贴装时候,需要把芯片从一个位置拾取并转移至另一个指定位置,由于该芯片尺寸极小,且容易受损,通常需要真空吸嘴来辅助吸取并转移芯片。
以100G ROSA产品中所用的PD Array芯片为例,100G ROSA产品中所用的PD Array芯片形状如图1所示,在吸取芯片的吸嘴不能碰到图2中所示的4个区域,因此吸嘴上需要进行适当的避空设计,防止在吸嘴芯片的时候吸嘴接触到芯片上不可触碰的区域。
目前行业采用的吸嘴如3所示,在做避空设计的时候直接将很大一部分做了避空,这样的吸嘴避空处过大,在吸取芯片的时候,吸嘴与芯片的接触部分如图4所示,只有上面和左右两面与芯片有接触。这样的吸嘴存在两个问题:
一、吸取芯片的时候吸嘴与芯片的接触面积小,吸嘴吸取芯片后与芯片之间的开口就会比较大,这样需要更大的真空度才能保证芯片平稳的被吸在吸嘴上;
二、如图4所示,由于吸嘴只在上面和左右两面和芯片有接触,在下面吸嘴和芯片没有接触,为了保证吸嘴不碰到图2中的区域一和区域四,吸嘴左右两个方向上与芯片接触部分之间的距离需要做大一些,但由于芯片尺寸的原因,当吸嘴左右两个方向上与芯片接触部分之间的距离做大了以后,则吸嘴与芯片的接触部分的面积会变得更小,就不能保证芯片能比较平稳的被吸在吸嘴上,在贴装的时候较小的外力就会使芯片歪斜。
发明内容
本实用新型的目的是为了改善现有吸嘴存在的技术问题。本实用新型提出了一种用于吸取PD阵列芯片的吸嘴,在做避空设计时候只对吸嘴上会和芯片上的不可触碰区域接触的部分做了避空设计,降低了对真空度的要求,同时使芯片的吸取更加平稳,有利于提高贴装效率。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为: 提出了一种用于吸取PD阵列芯片的吸嘴,吸嘴上设置有多个凹槽式的避空部,相邻两个避空部之间设置有凸起的支撑部,所述避空部的位置与PD阵列芯片上不可触碰区域的位置一一对应。
所述每个避空部的尺寸略大于其所对应的PD阵列芯片上不可触碰区域的尺寸。
所述避空部的个数与PD阵列芯片上的不可触碰区域的个数相同,且其位置与PD阵列芯片上的不可触碰区域的位置一一对应。
本实用新型提供的一种吸取PD 阵列芯片的吸嘴,在做避空设计时候只对吸嘴上会和芯片上的不可触碰区域接触的部分做了避空设计。相比现有技术中的吸嘴,本实用新型的吸嘴使用过程中与芯片的接触面积更大,本实用新型的吸嘴吸取芯片后和芯片之间的开口也会比现有吸嘴更小,维持芯片被平稳吸住的真空度更小一些,而且本实用新型的吸嘴与芯片的四周都有接触,可以保证芯片被平稳的吸在吸嘴上,较小的外力不会使芯片发生歪斜,有利于提高贴装效率。
附图说明
图1为PD 阵列芯片的示意图;
图2为PD 阵列芯片上的不可触碰区域示意图;
图3为现有技术中的吸嘴;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造