[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201821595465.6 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN208781820U 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 廖文河;林平杰 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 阀门 真空腔室 半导体器件 压力传感器 本实用新型 正常功能 渗漏 隔离 监控
【说明书】:

实用新型公开一种半导体器件,其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。第一管线与第二管线分别连接于第一阀门与第二阀门,而第一真空腔室则设置于第一阀门与第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一压力传感器,由此,可利用所述压力传感器隔离并监控所述第一阀门与所述第二阀门的正常功能,进而避免渗漏发生。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件,特别是涉及一种用于特气供应系统的半导体器件。

背景技术

半导体工艺目前已被广泛的应用于各项产业,如传统的液晶显示器或是近年来快速成长的微机电产业。而气体的使用在半导体工艺中一直扮演着重要的角色,举例来说,半导体工艺中如干式蚀刻、氧化、离子注入、薄膜沉积等都使用到相当多的气体,气体的纯度则对组件性能、产品良率有着决定性的影响,而气体供应的安全性则攸关人员的健康与工厂运作的安全。

在半导体行业,特气(specialty gases)经常作为工艺制造原料,然而特气供应系统也是半导体厂中危险性最高的一环,任何疏失都可能造成人员、厂房、设备的严重损失。特气包括甲硅烷(SiH4)、砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)等以钢瓶供应的气体,有些气体如甲硅烷具有自燃性,有些气体如砷化氢则具有剧毒性或高腐蚀性,一旦发生泄漏即可能造成严重危害。再来,因半导体工艺对特气纯度的高要求,在特气输送设备中,往往装置有阀门以防止内漏。由此,特气供应系统的再改良与防护设计仍为本领域现今的重要课题之一。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种改良的半导体器件,其是在特气输送管路与吹净气输送管路之间额外设置了两道阀门与一真空腔室,由此可搭配一压力传感器实时监控所述真空腔室的气压,以适时警示并更换阀门。

为了达到上述目的,本实用新型一方面提供了一种半导体器件,其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。所述第一管线与所述第二管线分别连接于所述第一阀门与所述第二阀门,而所述第一真空腔室则设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一气压传感器。

所述第一管线与所述第二管线分别供应不同的气体。

所述第一管线供应一特气,所述第二管线供应氮气。

所述第一阀门与所述第二阀门分别包含一截止阀,各所述截止阀直接连接所述第一真空腔室。

该半导体器件还包含一单向阀。

所述单向阀设置于所述截止阀与所述第二管线之间。

还包含第二真空腔室,所述第二真空腔室同样设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间。

所述第二真空腔室包含另一压力传感器。

所述第一真空腔室与所述第二真空腔室之间还设置一第三阀门,所述第三阀门包含一截止阀。

所述第一阀门与所述第二阀门分别包含一另一截止阀,所述另一截止阀直接分别连接所述第一真空腔室与所述第二真空腔室。

本实用新型的优点在于,其主要是利用特气输送管路与吹净气输送管路之间额外设置的保护阀门(如截止阀),防止特气污染、稀释等事故。其还主要分别于连接特气输送管路与吹净气输送管路的一端设置截止阀阻隔两管路,并且还在两截止阀之间再增设了真空腔室与压力传感器,进一步隔离并监控两截止阀的正常功能。如此,本实施例的保护阀件的防护设计更能有效避免因阀门老旧、损耗而造成的渗漏问题,使得半导体器件的特气供应更能符合供应质量的要求。

附图说明

图1为本实用新型第一优选实施例所绘示的半导体器件的管路示意图;

图2为本实用新型第二优选实施例所绘示的半导体器件的管路示意图;

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