[实用新型]用于半导体处理设备的喷头组件及半导体处理设备

说明书

该实用新型涉及一种用于半导体处理设备的喷头组件及半导体处理设备，其中所述用于半导体处理设备的喷头组件包括旋转轴和喷头；所述旋转轴与喷头连接，所述旋转轴能够绕所述旋转轴的中心轴旋转并带动所述喷头旋转；所述喷头的喷孔设置于所述喷头的侧壁上，所述喷孔的开口朝向与所述旋转轴的中心轴垂直。本实用新型中的用于半导体处理设备的喷头组件可以提供360°环绕的喷淋效果，加宽了喷头的喷洒范围。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体处理设备的喷头组件及半导体处理设备。

背景技术

在晶圆的生产制造的过程中，经常需要对晶圆进行喷淋，包括气体喷淋和液体喷淋。在现有技术中，通常会采用喷头进行喷淋操作。

在现有技术中，对晶圆表面进行化学气相沉积时，通常通过喷头朝向所述晶圆喷淋工艺气体。晶圆与喷头的相对位置有两种情况，第一种是晶圆与喷头的喷孔直接相对，喷头的喷孔的开口朝向是朝向竖直方向的经喷头喷出的工艺气体直接作用于晶圆表面。第二种是晶圆放置在水平平台上，喷头的喷孔的开口朝向是朝向水平方向的，此时，需要将晶圆放置的水平平台旋转90°，使水平平台上放置有晶圆的一面朝向所述喷头的喷孔后，再经喷头喷出工艺气体，作用于晶圆表面。

采用第二种方法进行喷淋时，喷淋过程中不会有其他杂质掉落在晶圆上，可以提高最终沉积在晶圆表面的薄膜层的质量。但在第二种方法中，由于喷头的喷孔的开口是朝向水平方向的，因此在通过上述喷头向反应腔体中喷入清洁气体时，清洁气体只能作用于喷头的喷孔和晶圆之间的平面上，难以达到腔体的各个角落，容易造成腔体的清洁不均匀、不彻底，影响最终形成的半导体器件的质量以及半导体器件的产率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体处理设备的喷头组件及半导体处理设备，能够提高最终生成的半导体器件的质量。

为解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种用于半导体处理设备的喷头组件，包括旋转轴和喷头；所述旋转轴与喷头连接，所述旋转轴能够绕所述旋转轴的中心轴旋转并带动所述喷头旋转；所述喷头的喷孔设置于所述喷头的侧壁上，所述喷孔的开口朝向与所述旋转轴的中心轴垂直。

可选的，还包括密封部，设置于所述旋转轴上，被所述旋转轴所贯穿。

可选的，所述密封部包括磁流体密封结构、O型密封圈、唇型密封圈中的至少一种。

可选的，所述密封部为磁流体密封结构，包括：壳体、轴承、磁流体和永磁体，其中，所述轴承位于所述壳体内部，套接于所述旋转轴外部；所述磁流体填充于所述旋转轴与壳体之间的空隙中；所述永磁体设置于所述壳体内部，用于为所述磁流体提供磁场。

可选的，所述旋转轴一端连接至一驱动电机，由所述驱动电机驱动所述旋转轴旋转。

为解决上述技术问题，本实用新型中还提供了一种半导体处理设备，包括腔体，还包括一喷头组件，所述喷头组件包括：旋转轴和喷头；所述旋转轴与喷头连接，所述旋转轴能够绕所述旋转轴的中心轴旋转并带动所述喷头旋转；所述喷头的喷孔设置于所述喷头的侧壁上，所述喷孔的开口朝向与所述旋转轴的中心轴垂直；所述喷头位于所述腔体内，所述旋转轴贯穿腔体壁。

可选的，所述喷头组件还包括密封部，设置于所述旋转轴上，被所述旋转轴所贯穿。

可选的，所述密封部为磁流体密封结构，包括：壳体、轴承、磁流体和永磁体，其中，所述轴承位于所述壳体内部，套接于所述旋转轴外部；所述磁流体填充于所述旋转轴与壳体之间的空隙中；所述永磁体设置于所述壳体内部，用于为所述磁流体提供磁场。

可选的，还包括：晶圆基座和转动组件，所述晶圆基座和转动组件均设置于所述腔体中；所述晶圆基座用于放置待处理晶圆；所述晶圆基座的一端连接至转动组件，所述转动组件用于带动所述晶圆基座自初始位置运动至朝向所述喷头侧壁的终止位置。