[实用新型]一种多晶硅还原炉尾气输送结构有效
| 申请号: | 201821507719.4 | 申请日: | 2018-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN208802835U | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
| 发明(设计)人: | 余涛;刘晓彬;周维维 | 申请(专利权)人: | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王学强;罗满 |
| 地址: | 614800 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中空管 炉体 多晶硅还原炉 中空管侧壁 尾气输送 通孔 本实用新型 还原炉尾气 排气管路 倾斜设置 副产物 还原炉 排气管 并靠 穿出 带通 竖直 连通 通气 阻隔 体内 排放 | ||
本实用新型公开一种多晶硅还原炉尾气输送结构,包括炉体,所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管,所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通;所述中空管侧壁设有通孔。通过在还原炉底部设置带通孔的中空管,将副产物阻隔在排气管路外,并靠中空管侧壁上的通孔通气,保持了还原炉尾气的正常排放。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产设备,具体涉及一种多晶硅还原炉尾气输送结构。
背景技术
多晶硅是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料,是信息产业和新能源产业的基础原料。现有技术中广泛采用改良西门子法制备多晶硅。其主要过程为三氯硅烷和氢气等工艺气体经进气管进入还原炉后发生还原反应,生成硅单质沉积在硅芯电极上。
由于还原炉内的反应温度、组分比例和炉内压力等情况复杂,生产过程中往往伴随副反应并生成多种成分复杂的副产物。大量未充分反应的原料气体及副产物随着尾气的排出一并从还原炉的出口输送到下一工序。
问题在于,尾气出口通常设置于还原炉底部,未及时反应的原料气体夹杂着副产物从尾气出口流出,容易堵塞管路,导致尾气排放不畅。
实用新型内容
有鉴于此,本申请提供一种多晶硅还原炉尾气输送结构,通过在还原炉底部设置带通孔的中空管,将副产物阻隔在排气管路外,并靠中空管侧壁上的通孔通气,保持了还原炉尾气的正常排放。
为解决以上技术问题,本实用新型提供的技术方案是一种多晶硅还原炉尾气输送结构,包括炉体,所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管,所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通;所述中空管侧壁设有通孔。
优选的,所述中空管顶部设有凹槽,保护盖通过所述凹槽活动设置在中空管上。
优选的,所述保护盖上设置有镂空结构。
优选的,所述中空管为氮化硅材质的中空管。
优选的,所述保护盖为氮化硅材质的保护盖。
优选的,所述中空管设置在炉体底部的中心;所述通孔数量不少于两个,关于中空管的轴线呈轴对称设置。
优选的,相邻所述通孔等间距设置。
优选的,所述通孔形状为圆孔、腰型孔和椭圆孔中的至少一种。
本申请与现有技术相比,其有益效果为:
中空管竖直或倾斜设置,使中空管侧壁上的通孔比炉体的底部相对高度更高,当副产物被阻挡沉积在中空管周围时,也不易将通孔阻塞,维持了中空管的正常排气作用。
当中空管的顶部活动设置保护盖,使用时可避免反应副产物或其它碎块直接落入中空管。在使用一段时间后,将保护盖取下,能够更加方便彻底地对中空管进行清洗。
保护盖上设置的镂空结构类似与设置在中空管侧壁的通孔,在起到保护作用的同时增加了排气孔的数量,保证了尾气排放的通畅。
在多晶硅的生产过程中,除了硅棒上,还原炉中的其他位置上也会逐渐沉积出硅单质。沉积在中空管上的硅单质会使得通孔逐渐变小,影响正常排气,因此需要定期用碱液清洗中空管。氮化硅材质的中空管在碱液中清洗时不会被腐蚀,相比于金属材质的管路具有更长的使用寿命。
在本实施例中,保护盖为氮化硅材质,在清洗中空管时一并清洗即可,不会被清洗硅单质时使用的碱液腐蚀。
保护盖从中空管上取下后外形较为规整,且易于替换,所以在其他实施例中,保护盖也可以采用更廉价的材质。
中空管设置在炉体中心,因此中空管上的通孔也关于中心对称,从而使得从各个通孔经过的气体流量趋于相等。相邻通孔等间距设置,炉中气体的排放更平均高效。
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