[实用新型]切割盘以及切割机台有效
申请号: | 201821498512.5 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN208753294U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 卢吴越;赵晓业;赵保杰;骆海银;印晨舟 | 申请(专利权)人: | 环维电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/304 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 切割槽 导流结构 切割盘 吸嘴 反射角 凸台 制程 清洗 切割机 本实用新型 产品可靠度 表面切割 表面设置 冲击水流 额外成本 缝隙区域 切割机台 切割碎屑 阵列排布 非平面 短路 良率 切割 | ||
1.一种切割盘,包括:用于固定待切割产品的吸嘴、呈阵列排布的吸嘴凸台以及相邻的吸嘴凸台之间的缝隙区域形成的切割槽,其特征在于,在所述切割槽底表面上设置至少一非平面的导流结构,所述导流结构引导清洗的水流改变离开所述切割槽底表面时的方向。
2.根据权利要求1所述的切割盘,其特征在于:所述导流结构引导清洗的水流离开所述切割槽底表面时与切割槽底表面形成的反射角大于清洗的水流射向所述切割槽底表面时与切割槽底表面形成的入射角。
3.根据权利要求1所述的切割盘,其特征在于:所述导流结构是设置于所述切割槽底表面的导流凹槽。
4.根据权利要求3所述的切割盘,其特征在于:所述导流凹槽是圆弧槽。
5.根据权利要求3所述的切割盘,其特征在于:所述导流凹槽至少包括沿延展方向设置的第一导流平面和第二导流平面,所述第一导流平面、第二导流平面均不平行于所述切割槽底表面,且所述第一导流平面和第二导流平面形成一定的夹角。
6.根据权利要求3所述的切割盘,其特征在于:所述导流凹槽沿引导流体的方向设有多段连续的导流平面。
7.根据权利要求1所述的切割盘,其特征在于:所述导流结构是一个突起于所述切割槽底表面的导流凸块。
8.根据权利要求7所述的切割盘,其特征在于:所述导流凸块与所述切割槽底表面一体成型。
9.一种切割机台,其特征在于,包括如权利要求1至8中任意一项所述的切割盘。
10.根据权利要求9所述的切割机台,其特征在于:包括行方向的第一水枪和列方向的第二水枪;
沿行方向的切割槽底表面的第一导流结构,增大所述第一水枪发射的水流被所述导流结构引导后与所述切割槽底表面之间的第一反射角;
沿列方向的切割槽底表面的第二导流结构,增大所述第二水枪发射的水流被所述导流结构引导后与所述切割盘之间的第二反射角。
11.根据权利要求10所述的切割机台,其特征在于:
所述第一导流结构至少包括沿所述行方向设置的第一导流平面和第二导流平面,所述第一导流平面与所述第一水枪将水流射向所述切割槽底表面的方向平行,所述第二导流平面与第一导流平面形成一定的夹角;
所述第二导流结构至少包括沿所述列方向设置的第一导流平面和第二导流平面,所述第一导流平面与所述第二水枪将水流射向所述切割槽底表面的方向平行,所述第二导流平面与第一导流平面形成一定的夹角。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环维电子(上海)有限公司,未经环维电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821498512.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单面区域腐蚀的夹具
- 下一篇:一种电子元件分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造