[实用新型]化学机械研磨装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。所述化学机械研磨装置包括研磨台以及设置于所述研磨台边缘的侧面盖板，还包括均设置于所述侧面盖板上的管道和轨道；所述轨道沿垂直于所述研磨台的方向延伸；所述管道用于向所述侧面盖板表面喷射清洗液，且所述管道连接所述轨道并能够沿所述轨道滑动。本实用新型避免了溅射至所述侧面盖板上的研磨液结晶，同时也能够保持整个研磨环境的湿润，避免了研磨液结晶对晶圆表面的划伤。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。

背景技术

随着高科技电子消费市场的迅速发展，晶圆制造行业要求越来越高的器件密度、越来越小的线宽，随之而来，晶圆表面平坦程度的要求越来越高。化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing，CMP)是目前半导体制造行业最常用的晶圆表面平坦化处理方法，化学机械研磨通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用完成平坦化处理。

现有的化学机械研磨装置包括研磨台、研磨头、研磨垫以及研磨液供给管道。所述研磨台中设置有多个研磨盘，所述研磨台的外周设置有盖板，用于隔离所述研磨盘与外部环境。所述研磨垫铺设于研磨盘上，所述研磨头的下端装配有待研磨晶圆，所述待研磨晶圆与所述研磨垫接触。在进行化学机械研磨的过程中，研磨液从所述研磨液供给管道以一定的速率流到所述研磨垫的表面，所述研磨头向所述待研磨晶圆施加一定压力，使得待研磨晶圆的待研磨面与所述研磨垫产生机械接触；在研磨过程中，所述研磨平台、所述研磨头分别以一定的速度旋转，而研磨平台的转动同时也会带动所述研磨垫的转动，从而通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜，以达到待研磨晶圆表面平坦化的目的。

但是，在现有的化学机械研磨工艺实施过程中，经常会出现研磨液溅射至盖板上，并在盖板上产生结晶。结晶一方面会导致排水管的堵塞，影响化学机械研磨工艺正常、稳定的进行；另一方面，结晶还可能掉落在研磨垫或者研磨头表面，导致对晶圆表面的划伤，降低晶圆产品的良率。

因此，如何减少研磨液在化学机械研磨机台内部结晶，避免对晶圆表面的划伤，确保化学机械研磨工艺持续、稳定的进行，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种化学机械研磨装置，用于解决现有的化学机械研磨机台内部易出现研磨液结晶的问题，以避免研磨液结晶对晶圆表面的划伤，确保化学机械研磨工艺持续、稳定的进行。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种化学机械研磨装置，包括研磨台以及设置于所述研磨台边缘的侧面盖板，还包括均设置于所述侧面盖板上的管道和轨道；所述轨道沿垂直于所述研磨台的方向延伸；所述管道用于向所述侧面盖板表面喷射清洗液，且所述管道连接所述轨道并能够沿所述轨道滑动。

优选的，所述轨道包括平行设置于所述侧面盖板相对两侧的两条子轨道；所述管道沿垂直于所述轨道的方向延伸，且所述管道的相对两端分别与两条子轨道连接。

优选的，所述管道上设置有多个沿所述管道的轴向方向等间隔分布的开口，清洗液经多个开口同时从所述管道喷出。

优选的，还包括一一安装于多个开口内的多个喷嘴，所述喷嘴用于将所述清洗液雾化后喷向所述侧面盖板。

优选的，还包括控制器；所述控制器同时连接多个所述喷嘴，用于调整所述喷嘴的喷射角度。

优选的，还包括设置于所述管道中的阀门；所述控制器连接所述阀门，用于调整所述清洗液自所述喷嘴喷出的流速。

优选的，还包括驱动器；所述控制器连接所述驱动器，用于调整所述管道沿所述轨道移动的速度。

优选的，所述侧面盖板包括第一侧面盖板和第二侧面盖板，所述第一侧面盖板与所述第二侧面盖板位于所述研磨台相邻两侧的边缘。

优选的，所述清洗液为去离子水。