[实用新型]基板研磨装置

说明书

公开一种基板研磨装置。根据一个实施例的基板研磨装置包括：基板支撑单元，其支撑基板；以及研磨单元，其研磨所述基板，在所述基板的研磨过程中，所述基板支撑单元或研磨单元可以进行移动，以便使得所述基板的研磨部位发生变化。

技术领域

以下实施例涉及一种基板研磨装置，其沿着轨道变更研磨部位的同时研磨基板。

背景技术

制造基板时需要CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)作业，CMP作业包括：研磨和抛光(buffing)及清洗。就基板的CMP作业而言，要求通过研磨垫对基板的被研磨面进行研磨的工艺。CMP装置是用于对基板的一面或者两面进行研磨、抛光及清洗的构成要素，设置有传送带、研磨垫或设置有刷子的传送带。为了促进及强化CMP作业而使用研磨液。

基板区分为用于半导体的半导体用基板以及用于LCD等的大面积基板。就大面积基板而言，因为基板的尺寸大于研磨垫的尺寸，比起大面积基板的移动，有必要通过移动研磨垫来研磨基板的全面积。为了研磨基板的被研磨面，有必要使得研磨垫相对于基板面水平地进行移动的同时来研磨基板。

在研磨基板的过程中，通过研磨垫来研磨的基板的研磨部位有必要沿着基板整体进行移动。就大面积基板而言，因为有必要使得针对基板的全面积的研磨度一定，所以如果仅对基板的特定部位进行研磨，则会发生基板整体研磨度变得不均匀的问题。因为基板的研磨度是根据与研磨垫的接触程度来决定的，所以通过研磨垫来研磨的基板的研磨部位有必要在整个基板上保持均匀。如果仅对基板的特定部位集中进行研磨，或对基板的一部分不进行研磨，则会发生基板整体的研磨度不均匀的问题。

由此，实情是，在对基板，尤其是在对大面积基板进行研磨的过程中，需要一种用于均匀地研磨基板面的整体的研磨装置。

实用新型内容

实施例的目的为，提供一种基板研磨装置，其用于均匀地研磨基板面整体。

实施例的目的为，提供一种基板研磨装置，通过对基板进行支撑的装置及对基板进行研磨的装置的复合移动来使得基板的研磨部位根据轨道发生变更。

实施例的目的为，提供一种基板研磨装置，其根据设定的轨道来调节针对基板的研磨部位。

根据一个实施例的基板研磨装置包括：基板支撑单元，其支撑基板；以及研磨单元，其研磨所述基板，在研磨所述基板的过程中，所述基板支撑单元或研磨单元可以进行移动，以便使得所述基板的研磨部位发生变化。

在一方面，所述基板的研磨部位可以形成轨迹的同时发生变化。

在一方面，所述轨迹可以形成为覆盖所述基板的被研磨面的全部。

在一方面，所述轨迹可以形成为在基板的研磨过程中产生重叠的研磨部位。

在一方面，所述研磨单元包括：研磨头，其相对于所述基板面进行旋转；研磨垫，其设置于所述研磨头，与所述基板接触的同时研磨所述基板，所述研磨头可以在与所述基板面平行的平面上进行线性移动。

在一方面，所述研磨头位于与所述基板面平行的平面上，可以沿着相互垂直的第一方向及第二方向并进移动。

在一方面，所述基板支撑单元包括：基板载体，其支撑所述基板；以及基板安置部，其形成于所述基板载体，用于安置所述基板，所述基板载体可以以支撑所述基板的状态水平移动，以便使得相对于所述研磨单元的所述基板的位置发生变化。

在一方面，所述基板支撑单元还可以包括：膜，其以与所述基板的非研磨面接触的形式设置于所述基板安置部；以及保持器部，其以围绕所述被安置的基板的周围的形式配置于所述基板安置部。