[实用新型]一种集成式半导体光放大系统有效
申请号: | 201821288321.6 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN208569115U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 徐杰 | 申请(专利权)人: | 无锡恒纳信息技术有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/27 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 本实用新型 光放大单元 光放大系统 偏振分束器 偏振合束器 依次连接 集成式 半导体光放大器芯片 半导体光放大器 输入光隔离器 光输出功率 输入/输出 光隔离器 耦合 隔离度 隔离器 光放大 输出光 两路 偏振 反射 光纤 芯片 | ||
本实用新型公开了一种集成式半导体光放大系统,包括依次连接的偏振分束器、两路半导体光放大单元和偏振合束器,所述每路半导体光放大单元包括依次连接的输入光隔离器、半导体光放大器芯片(SOA)和输出光隔离器。本实用新型的半导体光放大器集成了偏振分束器、偏振合束器、输入/输出光隔离器和半导体光放大芯片(SOA),能够简化SOA与光纤的耦合、增加反射隔离度、降低偏振相关增益,并提高光输出功率。
技术领域:
本实用新型属于光纤通讯技术领域,特别涉及一种集成式半导体光放大系统。
背景技术:
半导体光放大器(SOA)在数据中心等短途光纤通信系统中得到了越来越多的应用,但是同样由于它使用半导体芯片进行放大的特点,它也有一些固有的缺点:功率不够高,常见的输出功率仅为10dBm左右,比起当前常用的激光器发射模块比如QSFP28等的功率来说输出功率增益较低;偏振相关增益(PDG)偏大,通常达到1.0dB甚至更高;集成度不高,通常在一个14针蝶形封装外壳内仅使用一个SOA芯片和其温度控制器TEC,加上输入输出光纤耦合(通常使用特制的波导来进行耦合);对反射光非常敏感,所以使用时通常必需外接输入输出隔离器。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容:
本实用新型的目的在于提供一种集成式半导体光放大系统,从而克服上述现有技术中的缺陷。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种集成式半导体光放大系统,包括依次连接的偏振分束器、两路半导体光放大单元和偏振合束器,所述每路半导体光放大单元包括依次连接的输入光隔离器、半导体光放大器芯片(SOA)和输出光隔离器。
所述两路半导体光放大单元中的半导体光放大器芯片(SOA)相同,所述其中一路光放大单元包括依次连接的输入光隔离器、四分之一波片、半导体光放大器芯片、四分之一波片和输出光隔离器。
所述两路半导体光放大单元中的半导体光放大器芯片不同,通过调节两路半导体光放大单元的半导体光放大器芯片(SOA)的驱动电流得到相同的输出功率。
所述输入光隔离器为偏振相关隔离器或者偏振无关隔离器,所述输出光隔离器为偏振相关隔离器或者偏振无关隔离器。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型的半导体光放大系统集成偏振分束器、偏振合束器、输入/输出光隔离器和半导体光放大芯片,能够简化SOA与光纤的耦合、增加反射隔离度、降低偏振相关增益,并提高光输出功率。
附图说明:
图1为本实用新型的实施例1的集成式半导体光放大系统的示意图;
图2为本实用新型的实施例2的集成式半导体光放大系统的示意图;
附图标记:1-偏振分束器一、2-偏振无关输入光隔离器一、3-半导体光放大器芯片(SOA)一、4-偏振无关输出光隔离器一、5-偏振无关输入光隔离器二、6-四分之一波片一、7-半导体光放大器芯片(SOA)二、8-四分之一波片二、9-偏振无关输出光隔离器二、10-偏振合束器一、11-偏振分束器二、12-偏振相关输入光隔离器一、13-半导体光放大器芯片(SOA)三、14-偏振相关输出光隔离器一、15-偏振相关输入光隔离器二、16-半导体光放大器芯片(SOA)四、17-偏振相关输出光隔离器二、18、偏振合束器二。
具体实施方式:
下面对本实用新型的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。
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