[实用新型]异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括:

芯片中间体，其包括第一掺杂层；

第一透明导电层，形成于所述第一掺杂层上；

第一金属导电层，形成于所述第一透明导电层上；

第二透明导电层，设置于所述第一金属导电层上，以使所述第一金属导电层完全被所述第一透明导电层和所述第二透明导电层包覆；

第二金属导电层，形成于所述第二透明导电层上。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层在沿所述透明导电层厚度方向的投影重合。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属导电层的材料包括银和铝中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层的厚度是5-20μm。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的材料包括ITO、AZO和BZO中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的总厚度为70-90nm。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

第三透明导电层，形成于所述第二金属导电层上，使所述第二金属导电层完全被所述第二透明导电层和所述第三透明导电层包覆；

第三金属导电层，形成于第三透明导电层上。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

第四透明导电层，形成于所述第三金属导电层上，使所述第三金属导电层完全被所述第三透明导电层和所述第四透明导电层包覆；

第四金属导电层，形成于第四透明导电层上。

9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述芯片中间体还包括第一本征层、晶硅衬底、第二本征层和第二掺杂层；其中，第一掺杂层、第一本征层、晶硅衬底、第二本征层和第二掺杂层依次层叠；且第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层或第二掺杂层选自N型掺杂硅层和/或P型掺杂硅层。

11.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂硅层为磷掺杂的非晶硅或微晶硅层；所述P型掺杂硅层为硼掺杂的非晶硅或微晶硅层。

12.根据权利要求9-11中任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

第一’透明导电层，形成于所述第二掺杂层上；

第一’金属导电层，形成于所述第一’透明导电层上；

第二’透明导电层，形成于所述第一’金属导电层上，以使所述第一’金属导电层完全被所述第一’透明导电层和所述第二’透明导电层包覆；

第二’金属导电层，形成于所述第二’透明导电层上。

13.根据权利要求12所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

第三’透明导电层，形成于所述第二’金属导电层上，使所述第二’金属导电层完全被所述第二’透明导电层和所述第三’透明导电层包覆；

第三’金属导电层，形成于第三’透明导电层上。

14.根据权利要求13所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括：

第四’透明导电层，形成于所述第三’金属导电层上，使所述第三’金属导电层完全被所述第三’透明导电层和所述第四’透明导电层包覆；

第四’金属导电层，形成于第四’透明导电层上。