[实用新型]用于操作衬底的设备

说明书

本实用新型实施例公开了一种用于操作衬底的设备，包括：抽气管（181）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有沿圆周方向均匀设置的多个第一抽气孔（38，39），多个第一抽气孔与抽气管（181）连通；多个第一抽气孔（38，39）分布在抓取盘装置底部的特定区域，在衬底（40）与抓取盘装置底部接触时，多个第一抽气孔位于衬底（40）外边缘处，通过抽气管（181）以及多个第一抽气孔抽出在衬底（40）与抓取盘装置的底部之间的空气，用以吸附衬底（40）。本实用新型的设备，在生成负压时，所需的抽气量、抽力更小，衬底边缘负压均匀，避免衬底的压伤及污染；提供双重缓冲，避免在取放片过程中对晶片压伤和污染，提高产品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成制造技术领域，尤其涉及一种用于操作衬底的设备。

背景技术

在半导体集成电路制造领域中，为了生成外延涂覆的半导体晶圆，通常采用对外延反应器中的半导体晶圆进行外延涂层，沉积气体穿过外延反应器，能在半导体晶圆的表面上沉积外延材料。在外延反应器中，晶片衬底传送属于非常重要的内容。晶片一般是圆形的，具有正面和背面，晶片正面是形成实现集成电路结构的晶片面；另外，晶片的边缘处几毫米区域也不用于实现集成电路制造。所以，在晶片传送过程中，保护晶片正面不受损坏是非常重要的。

目前，在现有的外延反应器中具有多种用于传送衬底的设备，但都有不足之处。例如，对于一种外延反应器中的用于操作衬底的设备，在取片过程中，在各抽气孔处形成的吸附力作用于衬底的正面中央，衬底中央作用的吸附力将使衬底变形过大，从而容易形成压伤；此外，在由工艺腔中取片时，衬底尚存有一定温度，与设备的抓取装置之间存在一定的粘附性，衬底可能不能被十分水平地吸附起来，无法保证平稳吸附，从而造成取片失败或掉落；对于另一种外延反应器中的用于操作衬底的设备，设备的抓取装置上的吸取孔布置不合理，如果在抓取装置和衬底之间出现真空则需使用大流量抽吸，产生的大吸附力往往使衬底出现变形。因此，需要一种新的用于传送衬底的设备。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种用于操作衬底的设备。

根据本实用新型实施例的一个方面，提供一种用于操作衬底的设备，包括：抽气管和抓取盘装置；所述抽气管的一端与所述抓取盘装置连接；在所述抓取盘装置的底部设置有多个第一抽气孔，所述多个第一抽气孔与所述抽气管连通；所述多个第一抽气孔分布在所述抓取盘装置底部的特定区域，使得在衬底与所述抓取盘装置的底部接触的状态下，所述多个第一抽气孔位于所述衬底外边缘处；通过所述抽气管以及所述多个第一抽气孔抽出在所述衬底与所述抓取盘装置的底部之间的空气，用以吸附所述衬底。

可选地，所述特定区域为环形区域，所述多个第一抽气孔在所述环形区域内沿圆周方向均匀设置；所述环形区域的最大半径与所述衬底的半径相等；所述环形区域的最小半径与所述衬底半径的比值为7/10。可选地，所述抓取盘装置包括：匀气盘和承载盘；所述匀气盘和所述承载盘连接；所述多个第一抽气孔设置在所述承载盘的底部；所述抽气管的一端与所述匀气盘连接，所述匀气盘设置有通气管道，所述多个第一抽气孔通过所述通气管道与所述抽气管连通。

可选地，还包括：第一环形弹性元件和第二环形弹性元件；所述第一环形弹性元件和所述第二环形弹性元件位于所述匀气盘和所述承载盘之间；所述第一环形弹性元件和所述第二环形弹性元件在所述匀气盘和所述承载盘之间围成环形密封空腔区域，所述通气管道和所述多个第一抽气孔均与所述通气管道的连通处位于所述环形密封空腔区域内连通。

可选地，所述多个第一抽气孔包括：至少两组第一抽气孔，所述至少两组第一抽气孔呈同心圆布置并且每组第一抽气孔都沿圆周方向均匀分布；其中，所述至少两组第一抽气孔都位于所述环形密封空腔区域内。

可选地，所述多个第一抽气孔包括：两组第一抽气孔；第一组第一抽气孔相对于第二组第一抽气孔靠近所述承载盘的外边缘；所述承载盘的底部设置有吸附槽，所述第一组第一抽气孔与第二组第一抽气孔均与所述吸附槽连通。