[实用新型]一种遮挡结构和蒸发台

说明书

一种遮挡结构和蒸发台，属于半导体生产领域。遮挡结构包括邻近蒸发舟布置的第一挡圈。蒸发舟位于第一挡圈限定的区域内。柱形结构的第一挡圈包括相互连接的第一柱体部和第二柱体部。第一柱体部由具有第一缺口且中空的圆柱体形构成。第二柱体由具有第二缺口且中空的四棱柱体构成，第一柱体部和第二柱体部通过第一缺口和第二缺口的对接而拼合为一体。遮挡结构用于提高蒸发台蒸铝均匀性提高蒸镀元件的蒸镀品质。此外，通过设置的第二挡圈可以保护轨道不被蒸镀。同时，第二挡圈的有角度的倾斜构造可以保障整个蒸发过程都可以被百分百的蒸镀。

技术领域

本实用新型涉及半导体元器件生产领域，具体而言，涉及一种遮挡结构和蒸发台。

背景技术

随着半导体领域的飞速发展，半导体元器件越来越精密，半导体器件生产中对正面蒸铝工艺要求也越来越高，MARK-50蒸发台蒸铝层厚度片内存在很大差异(0.3～0.4μm)，已经不能满足现有工艺要求。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

基于现有技术的不足，本实用新型提供了一种遮挡结构和蒸发台，以部分或全部地改善、甚至解决现有技术中的问题。

本实用新型是这样实现的：

在本实用新型的第一方面，提供了一种用于提高具有蒸发舟的蒸发台蒸铝均匀性的遮挡结构。

遮挡结构包括：

第一挡圈，第一挡圈邻近蒸发舟布置，蒸发舟位于第一挡圈限定的区域内。第一挡圈为柱形结构，第一挡圈包括相互连接的第一柱体部和第二柱体部；

第一柱体部由具有第一缺口且中空的圆柱体形构成，第二柱体由具有第二缺口且中空的四棱柱体构成，第一柱体部和第二柱体部通过第一缺口和第二缺口的对接而拼合为一体。

在其他的一个或多个示例中，第一缺口沿圆柱体的轴向延伸至全部高度。

在其他的一个或多个示例中，第二缺口由四棱柱体的四个侧壁中的任意一个被全部去除而形成。

在其他的一个或多个示例中，在轴向，圆柱体由第一端面至第二端面延伸而成；第一端面为平面状，第二端面为阶梯状。

在其他的一个或多个示例中，第二端面具有两个台阶，且由第一次端面、第二次端面、第三次端面构成，第一次端面、第二次端面、第三次端面与第一端面之间的距离依次递减。

在其他的一个或多个示例中，第三次端面至第一端面之间的距离为18cm，第一次端面至第一端面之间的距离为30cm，第一次端面至第二次端面之间的距离为5cm，圆柱体的内壁直径为152cm、壁厚为1.5cm。

在其他的一个或多个示例中，四棱柱体与圆柱体同向延伸，且是由第三端面至第四端面延伸而成，第四端面为平面状且邻近第三次端面，第三端面为倾斜的平面，第三端面具有邻近第一端面的相邻部分，第三端面具有远离第一端面的相离部分，相邻部分到第四端面的距离大于相离部分到第四端面的距离。

在其他的一个或多个示例中，第三端面的倾斜角度为65℃。

在其他的一个或多个示例中，相邻部分到第四端面的距离为30cm，四棱柱体在圆柱体的径向的延伸长度为20cm。

在本实用新型的第二方面，提供了一种蒸发台。

蒸发台包括遮挡结构。

有益效果：

本实用新型实施例提供的遮挡结构能够在确保蒸发台中的其他设备不受干扰的情况尽量地避免对蒸镀物的干扰，从而使蒸镀物的蒸发、挥发角度增大，从而能够更好地实现蒸镀。