[实用新型]一种防乱线的二极管电极整形结构有效

申请号：	201821145659.6	申请日：	2018-07-19
公开（公告）号：	CN208521903U	公开（公告）日：	2019-02-19
发明（设计）人：	钱彦杰;王植源	申请（专利权）人：	东莞市中之电子科技有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400	代理人：	何新华
地址：	523430 ***	国省代码：	广东;44
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摘要：
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【权利要求书】：

1.一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，包括第一支撑块(10)，所述第一支撑块(10)的一侧依次固定有绝缘块(11)和感应铜片(13)，所述绝缘块(11)内固定有第一整形模块(12)，所述第一整形模块(12)内设有第一整形通孔(121)，所述第一整形通孔(121)的半径为a，所述感应铜片(13)设有让位探测通孔(131)，所述让位探测通孔(131)的半径为b，b>a。

2.根据权利要求1所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，5a≤b≤12a。

3.根据权利要求1所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，所述第一支撑块(10)内设有轴承(101)。

4.根据权利要求1所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，所述第一整形通孔(121)的两端均连接有一第一圆台凹陷部(122)。

5.根据权利要求1所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，所述第一支撑块(10)远离所述绝缘块(11)的一侧连接有第二支撑块(20)，所述第二支撑块(20)内固定有第二整形模块(21)，所述第二整形模块(21)内设有第二整形通孔(211)。

6.根据权利要求5所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，所述第二整形通孔(211)的半径为c，2a≤c≤4a。

7.根据权利要求5所述的一种防乱线的二极管电极整形结构，其特征在于，所述第二整形通孔(211)的两端均连接有一第二圆台凹陷部(212)。

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