[实用新型]一种用于吸附芯片的吸嘴有效
| 申请号: | 201821079539.0 | 申请日: | 2018-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN208796975U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 汪旭 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李博洋 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 吸附 吸嘴 敏感区域 气体通道 吸嘴本体 避空槽 敏感区 非敏感区域 抓取 均匀吸附 吸附表面 向内凹陷 应力分布 真空孔 槽口 掉片 隐裂 体内 覆盖 | ||
实用新型公开了一种用于吸附芯片的吸嘴,主要用于吸附表面有敏感区域的芯片,该吸嘴包括:吸嘴本体,在吸嘴本体内形成用于吸附芯片的气体通道;在吸嘴本体的吸附端设有一个向内凹陷的避空槽。在进行吸附芯片时,避空槽的槽口至少覆盖所述芯片的敏感区,接触芯片的为多个气体通道,通过多个真空孔均匀吸附在芯片非敏感区域,有利于保护敏感区域不被破坏,吸嘴的吸附端尺寸与芯片尺寸相同,在吸附时应力分布均匀,不易产生芯片隐裂,即使尺寸很小的芯片也能够被抓取,不易掉片。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种用于吸附芯片的吸嘴。
背景技术
现有正装贴片机的吸嘴大多数为末端水平,在吸嘴中间开一个穿孔,吸取芯片时,直接将吸嘴末端的平面贴在芯片表面,仅靠吸嘴的穿孔通过真空的吸力作用于芯片表面完成吸附,这类吸嘴存在较多不足:芯片孔径小,导致真空不足,产生掉片,表面是敏感区域的芯片无法吸取。而现有的技术中的针对有敏感区域的芯片,多采用在气体通道内凹陷形成与气体通道连通的避空槽吸附的方式,使得真空直接作用在敏感区域,会对薄膜产生破坏,而且吸嘴与芯片接触的面积比较小,受力不均匀,接触面积小芯片很容易产生隐裂。
实用新型内容
本实用新型提供的实施例提供一种用于吸附芯片的吸嘴,克服了现有技术中的吸嘴在吸附有敏感区域的芯片时,容易使薄膜破坏,芯片隐裂的不足。
本实用新型实施例提供的用于吸附芯片的吸嘴,包括:吸嘴本体,在所述吸嘴本体内形成用于吸附芯片的气体通道;在所述吸嘴本体的吸附端设有一个向内凹陷的避空槽;在进行吸附芯片时,所述避空槽的槽口至少覆盖所述芯片的敏感区。
优选地,所述避空槽位于所述吸嘴本体吸附端的中心区域。
优选地,所述吸附端的端面尺寸与所述芯片被吸附面相同。
优选地,所述避空槽的槽口形状与所述芯片的敏感区域形状相同。
优选地,所述气体通道包括:贯穿所述吸嘴本体上端的第一气体通道及与所述第一气体通道下方连通在所述吸嘴本体下端开口的多个第二气体通道。
优选地,所述多个第二气体通道均匀设置于所述避空槽周围区域。
优选地,所述第一气体通道及所述第二气体通道都为圆柱形通道。
优选地,所述多个第二气体通道的直径相同,且所述第一气体通道的直径比所述多个第二气体通道的直径大。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
1.本实用新型提供的用于吸附芯片的吸嘴,在吸嘴的吸附端向内凹陷形成避空槽,使得在吸附有敏感区域的芯片时,避开真空与敏感区域相接触,接触芯片的为多个小圆柱通道,通过多个真空孔均匀吸附在芯片非敏感区域,有力保护敏感区域不被破坏。
2.本实用新型提供的用于吸附芯片的吸嘴,吸嘴的吸附端尺寸与芯片尺寸相同,且吸附端的多个圆柱形通道直径相同,这样在吸附时应力分布均匀,不易产生芯片隐裂,即使尺寸很小的芯片也能够被抓取,不易掉片。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例中提供的MEMS芯片示意图;
图2为本实用新型实施例中提供的RF芯片示意图;
图3为本实用新型实施例提供的用于吸附芯片的吸嘴示意图;
图4为本实用新型实施例提供的第一气体通道和第二气体通道的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





