[实用新型]一种用于吸附芯片的吸嘴有效
| 申请号： | 201821079539.0 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN208796975U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 汪旭 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 吸附 吸嘴 敏感区域 气体通道 吸嘴本体 避空槽 敏感区 非敏感区域 抓取 均匀吸附 吸附表面 向内凹陷 应力分布 真空孔 槽口 掉片 隐裂 体内 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，包括：吸嘴本体，在所述吸嘴本体内形成用于吸附芯片的气体通道；在所述吸嘴本体的吸附端设有一个向内凹陷的避空槽；在进行吸附芯片时，所述避空槽的槽口至少覆盖所述芯片的敏感区。
2.根据权利要求1所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述避空槽位于所述吸嘴本体吸附端的中心区域。
3.根据权利要求2所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述吸附端的端面尺寸与所述芯片被吸附面相同。
4.根据权利要求3所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述避空槽的槽口形状与所述芯片的敏感区域形状相同。
5.根据权利要求2所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述气体通道包括：贯穿所述吸嘴本体上端的第一气体通道及与所述第一气体通道下方连通在所述吸嘴本体下端开口的多个第二气体通道。
6.根据权利要求5所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述多个第二气体通道均匀设置于所述避空槽周围区域。
7.根据权利要求5所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述第一气体通道及所述第二气体通道都为圆柱形通道。
8.根据权利要求7所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述多个第二气体通道的直径相同，且所述第一气体通道的直径比所述多个第二气体通道的直径大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
