[实用新型]一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆有效
| 申请号： | 201821060232.6 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN208284468U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙锦洋 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电夹盘 衬底 吸附 改进式 高介电常数介质 薄膜层 低介电常数 半导体芯片器件 本实用新型 晶圆 半导体芯片 静电吸附力 衬底表面 静电 底端 生长 | ||
1.一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：包括：
低介电常数衬底；
高介电常数介质薄膜层，所述的高介电常数介质薄膜层的顶端与所述低介电常数衬底连接，所述的高介电常数介质薄膜层的底端与静电夹盘接触。
2.根据权利要求1所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的低介电常数衬底的介电常数小于5。
3.根据权利要求2所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的低介电常数衬底包括石英衬底、Pyrex玻璃衬底和金属衬底。
4.根据权利要求1或2所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的高介电常数介质薄膜层的介电常数大于6。
5.根据权利要求4所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的高介电常数介质薄膜层包括Si3N4、Al2O3、AlN、BN。
6.根据权利要求4所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的高介电常数介质薄膜层的介电常数为7-8。
7.根据权利要求1所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的高介电常数介质薄膜层的厚度为0.1-5um。
8.根据权利要求7所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的低介电常数衬底的厚度为50-200um。
9.一种半导体芯片器件晶圆，其特征在于：包括如权利要求1~7中任意一项所述的改进式静电夹盘吸附用衬底。
10.根据权利要求9所述的一种半导体芯片器件晶圆，其特征在于：所述的半导体芯片为碳化硅基芯片或者硅基氮化镓芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
