[实用新型]一种半导体外延结构有效
| 申请号： | 201821058596.0 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN208336255U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张康;赵维;陈志涛;贺龙飞;何晨光;吴华龙;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体外延结构 正六边形结构 氮化物缓冲层 图形化 衬底 本实用新型 氮化物 合并层 底面 锥体 半导体技术领域 正六边形底面 半导体表面 周期性排布 衬底材料 平整度 预设定 晶格 排布 位错 平行 生长 | ||
1.一种半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构包括图形化衬底、AlN缓冲层、氮化物缓冲层以及氮化物合并层，所述图形化衬底、所述AlN缓冲层、所述氮化物缓冲层以及所述氮化物合并层逐层面连接，其中，所述图形化衬底包括周期性排布的多个正六边形结构，且所述多个正六边形结构按预设定参数排布，所述正六边形结构包括正六边形底面和与所述底面连接的锥体，且所述底面平行于衬底材料的c面，所述氮化物缓冲层沿每相邻两个正六边形结构的所述锥体之间的c面生长而成。
2.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述正六边形结构包括六棱锥或六棱锥坑。
3.如权利要求2所述的半导体外延结构，其特征在于，所述预设定参数包括：
每个所述正六边形结构的平行对称边之间的间距包括0.1-9.95um，多个所述正六边形结构之间等间距设置，且每相邻两个正六边形结构的平行边间距包括0.05-10um，所述六棱锥的高度包括0.1-10um，所述六棱锥坑的高度包括0.1-10um。
4.如权利要求2所述的半导体外延结构，其特征在于，所述六棱锥坑包括直边六棱锥坑或弧边六棱锥坑，所述六棱锥包括直边六棱锥或弧边六棱锥。
5.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，制作所述氮化物缓冲层的材料包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN中的至少一种。
6.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，制作所述图形化衬底的材料包括与所述氮化物缓冲层材料的晶格失配大于25％的材料，所述正六边形结构的边与所述衬底材料的m面平行。
7.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，制作所述图形化衬底的材料包括与所述氮化物缓冲层材料的晶格失配小于25％的材料，所述正六边形结构的边与所述衬底材料的a面平行。
8.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度包括5-100nm，所述氮化物缓冲层的厚度包括0.1-10um。
9.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，制作所述氮化物合并层的材料包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN中的至少一种，所述氮化物合并层的远离所述氮化物缓冲层的一面为一平面，且所述氮化物合并层的厚度包括1-10um。
10.如权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构还包括模板，所述模板与所述氮化物合并层的远离所述氮化物缓冲层的一面面连接，所述模板的厚度包括0-500um。
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