[实用新型]一种具有电场可调极化率的二维旋光器件有效
申请号: | 201820922881.6 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN208921994U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 吴雅苹;柯聪明;周江鹏;康俊勇;吴志明;张纯淼 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;张迪 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二维材料 透明电极 硫属化物 铁磁金属 掺杂 垂直电场 可调极化 旋光器件 电场 二维 旋光 本实用新型 反铁磁耦合 基片上表面 三明治结构 层叠设置 铁磁耦合 磁结构 极化率 可调节 入射 激光 施加 调控 | ||
1.一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极;该器件在激光入射下可产生旋光现象,且旋光极化率可通过垂直电场调控;
所述垂直电场是通过第一透明电极和第二透明电极向第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料所组成的三明治结构施加一个范围为-1V/Å~ 1V/Å的垂直方向电压,该垂直方向电压可调节掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变。
2.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述基片采用Si片、SiO2/Si片、云母片、石英片、蓝宝石中的一种。
3.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述第一透明电极和第二透明电极的电极材料由石墨烯、ITO、AZO中的一种或多种材料构成。
4.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述第一BN二维材料和第二BN二维材料的厚度为0~10 nm。
5.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料的厚度d满足范围0 < d < 100 nm。
6.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述III−VI族硫属化物二维材料化学式为MX,其中M=Ga、In,X=S、Se。
7.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料中铁磁金属是掺杂在III−VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位。
8.根据权利要求1所述一种具有电场可调极化率的二维旋光器件,其特征在于:所述掺杂铁磁金属的III−VI族硫属化物二维材料中铁磁金属元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种或其合金,掺杂浓度为0~10%。
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