[实用新型]化学机械研磨装置

说明书

本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，装置包括研磨台，用于设置研磨垫；温控水机，具有进水口和出水口，进水口与去离子水供应装置连接，温控水机用于将经进水口流入的去离子水加热到预设温度范围；喷雾器，设置在研磨台上方，喷雾器与温控水机的出水口连接，喷雾器具有喷头，喷头相对研磨垫表面倾斜设置；调节头，设置在研磨台上方，用于调节修整研磨垫表面的粗糙度。方法包括将完成表面处理的晶圆移出；将加温后的去离子水通过喷雾器的喷头持续喷射到研磨垫表面，以对研磨垫表面进行加热；通过调节头对研磨垫表面进行修整。本实用新型通过加热的去离子水对研磨垫进行软化，因此提高了研磨垫与晶圆的接触面积。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种化学机械研磨装置。

背景技术

在研磨垫对一个晶圆进行表面处理后，需要通过调节头和去离子水对研磨垫表面进行修整，以提高研磨垫的表面粗糙度。但是，由于去离子水的温度无法调节，导致在不同环境下去离子水的温度变化较大，如图1所示，研磨垫100的表面粗糙度受去离子水的温度影响，使得与晶圆200的接触面积110受温度影响也会产生较大变化。由于晶圆200与研磨垫100的接触面积110减小，导致研磨垫100的移除速率降低，无法有效去除晶圆表面的杂质。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种化学机械研磨装置，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

根据本实用新型的一个实施例提供一种化学机械研磨装置，包括：

研磨台，用于设置研磨垫；

温控水机，具有进水口和出水口，所述进水口与去离子水供应装置连接，所述温控水机用于将经所述进水口流入的去离子水加热且稳定在预设温度范围中；

喷雾器，设置在所述研磨台上方，所述喷雾器与所述温控水机的所述出水口连接，所述喷雾器具有喷头，所述喷头相对所述研磨垫表面倾斜设置，用于向所述研磨垫表面喷射加温后的所述去离子水，以加热和清洁所述研磨垫；以及

调节头，设置在所述研磨台上方，用于调节修整所述研磨垫表面的粗糙度。

在一些实施例中，还包括控制单元，所述控制单元与所述温控水机电连接，用于控制所述温控水机对所述去离子水的加热温度在所述预设温度范围中；所述控制单元还与所述喷雾器电连接，用于控制所述喷头喷出所述去离子水的流速。

在一些实施例中，所述喷头相对所述研磨垫表面的倾斜角度在30°-75°之间，包含端点值。

在一些实施例中，所述研磨台为多个，各所述研磨台分别配置有各一所述研磨垫和各一所述喷雾器，多个所述喷雾器与同一所述温控水机连接。

在一些实施例中，还包括研磨头，所述研磨头设置在所述研磨台上方，用于装载晶圆。

在一些实施例中，所述预设温度范围为43℃-47℃，包含端点值。

本实用新型实施例由于采用以上技术方案，其具有以下优点：本实用新型的化学机械研磨装置由于设置有与喷雾器连接的温控水机，因此能够对进入到喷雾器中的去离子水进行加热，使得加热后的去离子水喷射到研磨垫表面时能够对研磨垫表面进行软化，在调节头修整研磨垫时，能够提高研磨垫与晶圆的接触面积、表面粗糙度以及移除效率，使得研磨垫对晶圆进行表面处理时减少了划痕的产生。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本实用新型进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。