[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201820808541.0 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN208157407U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 廖文骏;张陶然;冯巧;李林宣;尚延阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/544 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底基板 显示面板 非显示区域 准确度 显示区域 显示装置 检测线 申请 数据线电连接 导线段 数据线 检测 搭接 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区域和非显示区域,
所述衬底基板上的显示区域内设置有数据线;
所述衬底基板上的非显示区域内设置有检测线;
其中,所述检测线由多个导线段搭接而成,且与所述数据线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个导线段包括:至少一个第一导线段,以及除所述至少一个第一导线段之外的其他导线段,每个所述第一导线段与所述衬底基板之间均设置有隔垫物。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述其他导线段包括:多个第二导线段,
所述第一导线段与所述第二导线段一一交替设置,且所述第一导线段搭接在所述第二导线段上。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述隔垫物包括:位于所述多个第二导线段上且覆盖所述非显示区域的第一绝缘层,所述第一绝缘层上设置有贯穿所述第一绝缘层且连通所述多个第二导线段的多个第一过孔;
所述多个第一导线段设置在所述第一绝缘层上,且通过所述多个第一过孔与所述多个第二导线段搭接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板上的显示区域内还设置有依次形成的第一目标导电层、第一目标绝缘层和第二目标导电层,
所述第二导线段与所述第一目标导电层同层形成,所述第一绝缘层与所述第一目标绝缘层同层形成,所述第一导线段与所述第二目标导电层同层形成。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板上的显示区域内还设置有顶栅结构的薄膜晶体管和存储电容,
所述薄膜晶体管包括:在衬底基板上依次设置的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层、源漏极绝缘层以及源漏极图案;所述存储电容包括:在所述衬底基板上依次设置的第一电极、电容绝缘层和第二电极;
所述第一目标导电层包括所述栅极,所述第一目标绝缘层包括所述第二栅绝缘层,所述第二目标导电层包括所述第二电极。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述其他导线段包括:多个第三导线段和多个第四导线段,
所述第一导线段和所述第三导线段一一交替并间隔设置,所述第四导线段搭接在相邻的第一导线段和第三导线段上。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述隔垫物包括:位于所述多个第三导线段上且覆盖所述非显示区域的第二绝缘层,所述多个第一导线段设置在所述第二绝缘层上;
所述衬底基板上还设置有位于所述多个第一导线段上且覆盖所述非显示区域的第三绝缘层;
所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中设置有多个贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第二过孔,所述第二过孔与相邻的第一导线段和第三导线段连通,所述多个第四导线段设置在所述第三绝缘层上,且通过所述多个第二过孔搭接在所述多个第三导线段和所述多个第一导线段上。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板上的显示区域内还设置有依次形成的第三目标导电层、第二目标绝缘层、第四目标导电层、第三目标绝缘层以及第五目标导电层,
所述第三导线段与所述第三目标导电层同层形成,所述第二绝缘层与所述第二目标绝缘层同层形成,所述第一导线段与所述第四目标导电层同层形成,所述第三绝缘层与所述第二目标绝缘层同层形成,所述第四导线段与所述第五目标导电层同层形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820808541.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:一种APD焦平面陈列芯片的封装装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的