[实用新型]一种快速测试硅片反向恢复时间的装置有效
申请号: | 201820800143.4 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN208422862U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 张官星;高俊;陶浩;莫贻飞 | 申请(专利权)人: | 扬州国宇电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 谈杰 |
地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反向恢复 硅片 承片台 表带 时间测试 电流输出接口 快速测试 线路连接 检测 仪表 本实用新型 抽真空装置 表面平整 触动开关 监控产品 内部连接 仪表连接 真空小孔 管芯 均布 吸附 厂商 | ||
本实用新型公开了一种快速测试硅片反向恢复时间的装置,包括承片台、扎测表带和反向恢复时间测试仪表,所述承片台内部连接有抽真空装置,所述承片台表面平整均匀且均布有用于吸附硅片的真空小孔,所述扎测表带用于扎接硅片上的管芯,所述反向恢复时间测试仪表上设有电流输出接口和检测接口,且反向恢复时间测试仪表连接有触动开关,所述扎测表带和承片台分别通过第一线路和第二线路连接所述电流输出接口,且第一线路和第二线路长度相同,所述扎测表带和承片台分别通过第三线路和第四线路连接所述检测接口,且第三线路和第四线路长度相同。该实用新型能够快速、便捷、准确的检测硅片的反向恢复时间,满足硅片厂商监控产品反向恢复时间的要求。
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及一种用于快速测试硅片反向恢复时间的装置。
背景技术
二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特性就是单向导电性,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是有二极管来构成的,现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关,或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了对正向电阻小及反向电阻大,电流表现出的开关作用。
反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间,该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当作开关使用。如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则二极管在正、反向都可导通,起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。
现有的反向恢复时间检测装置主要用于芯粒封装成管测试,而在生产硅片过程中,厂家需要对硅片的反向恢复时间进行快速监控,从而保证产品规格。现有的反向恢复时间测试装置无法快速、便捷、准确的检测硅片的反向恢复时间。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种快速测试硅片反向恢复时间的装置,该装置能够快速、便捷、准确的检测硅片的反向恢复时间,满足硅片厂商监控产品反向恢复时间的要求。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:
一种快速测试硅片反向恢复时间的装置,包括承片台、扎测表带和反向恢复时间测试仪表,所述承片台内部连接有抽真空装置,所述承片台表面平整均匀且均布有用于吸附硅片的真空小孔,所述扎测表带用于扎接硅片上的管芯,所述反向恢复时间测试仪表上设有电流输出接口和检测接口,且反向恢复时间测试仪表连接有触动开关,所述扎测表带和承片台分别通过第一线路和第二线路连接所述电流输出接口,且第一线路和第二线路长度相同,所述扎测表带和承片台分别通过第三线路和第四线路连接所述检测接口,且第三线路和第四线路长度相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型将承片台和反向恢复时间测试仪表连接,装置简单,便携,可操作性强,能够快速测试硅片的反应恢复时间;
2、本实用新型承片台通过表面均布的若干真空小孔对硅片进行吸附,同时承片台表面平整均匀,能够最大化减少接触电阻,提高测试准确度;
3、本实用新型扎测表带和承片台与反向恢复时间测试仪表通过第一线路、第二线路、第三线路和第四线路连接,形成四线路接线测电阻,有效降低间接电阻,提高测试准确度;
4、本实用新型第一线路和第二线路长度相同,第三线路和第四线路长度相同,进一步避免了测量误差,提高了测试准确度。
本实用新型的进一步改进方案如下:
进一步的,还包括绝缘木块和绝缘板,所述绝缘板放置在所述绝缘木块上,所述触动开关、抽真空装置和承片台均放置在所述绝缘板上。
通过采用上述方案,绝缘木块和绝缘板保证装置底部绝缘,进一步排出了间接电阻的影响,提高测试准确度。
进一步的,所述抽真空装置包括真空泵和真空开关。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造