[实用新型]一种快速测试硅片反向恢复时间的装置有效
| 申请号： | 201820800143.4 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208422862U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张官星;高俊;陶浩;莫贻飞 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反向恢复 硅片 承片台 表带 时间测试 电流输出接口 快速测试 线路连接 检测 仪表 本实用新型 抽真空装置 表面平整 触动开关 监控产品 内部连接 仪表连接 真空小孔 管芯 均布 吸附 厂商 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速测试硅片反向恢复时间的装置，其特征在于，包括承片台、扎测表带和反向恢复时间测试仪表，所述承片台内部连接有抽真空装置，所述承片台表面平整均匀且均布有用于吸附硅片的真空小孔，所述扎测表带用于扎接硅片上的管芯，所述反向恢复时间测试仪表上设有电流输出接口和检测接口，且反向恢复时间测试仪表连接有触动开关，所述扎测表带和承片台分别通过第一线路和第二线路连接所述电流输出接口，且第一线路和第二线路长度相同，所述扎测表带和承片台分别通过第三线路和第四线路连接所述检测接口，且第三线路和第四线路长度相同。
2.根据权利要求1所述的一种快速测试硅片反向恢复时间的装置，其特征在于，还包括绝缘木块和绝缘板，所述绝缘板放置在所述绝缘木块上，所述触动开关、抽真空装置和承片台均放置在所述绝缘板上。
3.根据权利要求1所述的一种快速测试硅片反向恢复时间的装置，其特征在于，所述抽真空装置包括真空泵和真空开关。
4.根据权利要求1所述的一种快速测试硅片反向恢复时间的装置，其特征在于，所述真空小孔密集分布呈若干同心圆状。
5.根据权利要求1所述的一种快速测试硅片反向恢复时间的装置，其特征在于，所述承片台为碳化硅陶瓷承片台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
