[实用新型]一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极

说明书

本实用新型公开了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘同轴套设有连接环，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，三号通孔内设有弹簧，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块。本实用新型中，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。

技术领域

本实用新型涉及干蚀刻装备，尤其涉及一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极。

背景技术

在干蚀刻装备的电极组装体中，蚀刻工艺进行时，工艺气体通过气体注入管被注入，并进入上部电极上形成的多个气体喷射孔内。

此时，根据上部电极上的电压生成等离子，根据这种等离子形成了在晶片上的氧化膜或者金属膜等的蚀刻。

但是，以往的电极组装体用上部电极气体供给盘和连接环是一体的，所以气体供给盘或者连接环其中一个受损时必须把整个上部电极替换掉。

尤其是导入工艺气体的气体供给盘与连接环相比，不仅寿命短而在不同工艺条件下更易受损。

这种情况下，以往的气体供给盘只要受损就要把高价的上部电极整个替换掉，造成了极大的资源浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极，以解决气体供给盘与连接环其中一个部件损坏后需要整体更换上部电极的技术问题。

本实用新型为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：

本实用新型提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘均匀设有多个气体喷射孔，气体供给盘同轴套设有连接环，连接环开设有多个连接孔，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，一号通孔纵向设置，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环设置在一号限位环下方，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔水平设置，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，活动块通过限位凸起限位在三号通孔内，三号通孔内设有弹簧，弹簧的两端分别与活动块接触，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块，顶块设置在二号通孔的下方。

优选地，一号通孔以及二号通孔均设有四个，一号通孔以及二号通孔均沿所在环体圆周均匀设置。

优选地，一号限位环下端固接有若干凸条，凸条长度方向与一号限位环直径方向一致，二号限位环上端开设有若干凹槽，凸条与凹槽位置相对应。

优选地，凸条以及凹槽均为V型。

优选地，凸条以及凹槽均设有四个，凸条以及凹槽均沿所在环体圆周均匀设置。

优选地，堵栓套设有垫圈，垫圈设置在限位块与一号通孔之间。

优选地，顶块远离二号通孔的一端为光滑的曲面。

本实用新型在使用过程中，先将一号限位环上的一号通孔与二号限位环上的二号通孔对齐，然后插入堵栓，插入堵栓的过程中，先按压三号通孔两端的顶块，使顶块进入三号通孔内，然后将堵栓插入一号通孔与二号通孔内即可，当堵栓完全插入后，在弹簧的作用下，活动块像向三号通孔的开口处滑动，从而推动顶块，顶块即可伸出三号通孔，在限位块以及顶块的夹持作用下，一号限位环以及二号限位得以被固定，后期若是需要拆卸时，只需按压顶块，再拔出堵栓即可。