[实用新型]一种用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置有效
| 申请号: | 201820699761.4 | 申请日: | 2018-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN208336159U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 黄金;李高非;王继磊;王文;张永前;崔宁;鲍少娟;张娟;安建军 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
| 地址: | 030600 山西省晋中市榆*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 镀膜 吹扫装置 异物 空心管 异质结电池 膜层表面 清洁装置 成膜 本实用新型 镀膜生产线 成膜腔体 电池生产 镀膜硅片 附着异物 硅片镀膜 生产过程 生产效率 丝网印刷 通气管路 异物附着 清洁 吹气孔 后表面 金属化 良品率 硅片 排布 卸片 装片 遮挡 粉尘 残留 印刷 | ||
本实用新型公开了一种用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置。它包括镀膜生产线以及和后吹扫装置,前吹扫装置和后吹扫装置均包括空心管以及与空心管连接的通气管路,各根空心管上均排布的与镀膜载体呈30°‑60°角度方向布置的吹气孔,镀膜载体在装片前经过前吹扫装置清洁镀膜载体上的碎片、粉尘及异物,镀膜载体上的硅片镀膜后并在卸片前经过后吹扫装置清洁镀膜后硅片的表面。采用上述结构后,避免了成膜腔体中的异物脱落到镀膜硅片上致使本身的成膜品质的下降,避免了成膜后表面附着异物丝网印刷金属化形成过程中对印刷质量造成影响,解决了生产过程中的碎片遮挡、粉末残留、异物附着等问题,改善了HJT电池生产中的良品率并提高生产效率。
技术领域
本发明涉及一种用于高效异质结电池的制造技术,具体地说是一种用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置,属于太阳能电池制造技术领域。
背景技术
对于HJT电池而言,透明导电薄膜(TCO)的制备作为HJT电池生产过程中的关键工序,一般采用反应等离子体沉积和直流磁控溅射两种方式,对应这两种镀膜方式的透明导电薄膜一般为In2O3:W(IWO)和In2O3:Sn(ITO)两种,在沉积形成薄膜的过程中对应的IWO靶材和ITO靶材存在靶材颗粒脱落的现象,在载板上存在明显的ITO、IWO粉末,另外,镀膜形成过程中产生的碎片容易附着在载板表面,上述两种情况不但容易影响镀膜外观的完整性及膜层本身的性能(也就是说载板作为硅片基体的镀膜载体在TCO设备作业过程中容易附着上碎片、靶材粉末及异物,这些异常的存在容易造成镀膜缺失,并且靶材粉末在载板上容易吸收空气中的水分对镀膜的性能造成影响),而且导致了HJT电池生产中的良品率低以及生产效率低下。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够解决HJT电池的TCO薄膜生产过程中的碎片遮挡、粉末残留、异物附着等问题,从而改善HJT电池生产中的良品率并提高生产效率的用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置。
为了解决上述技术问题,本发明的用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置,包括用于输送镀膜载体的镀膜生产线以及设置在镀膜生产线上料区的前吹扫装置和设置在镀膜生产线下料区的后吹扫装置,前吹扫装置和后吹扫装置均包括有沿镀膜生产线宽度方向排布的空心管以及与空心管连接并用于向空心管通入压缩气体的通气管路,各根空心管上均排布的与镀膜载体呈30°-60°角度方向布置的吹气孔,镀膜载体在装片前经过前吹扫装置清洁镀膜载体上的碎片、粉尘及异物,镀膜载体上的硅片镀膜后并在卸片前经过后吹扫装置清洁镀膜后硅片的表面。
所述镀膜载体在宽度方向上小于分别前吹扫装置以及后吹扫装置的长度。
所述前吹扫装置和后吹扫装置包括有位于镀膜载体上下方的空心管,位于上方的空心管距离镀膜载体的上表面距离为2-10cm,位于下方的空心管距离镀膜载体下表面距离2-10cm并且以载板为中心轴呈镜像分布。
所述前吹扫装置和后吹扫装置的空心管直径均为2-5cm,吹气孔均布在空心管上,吹气孔的大小为1-2mm,间隔为0.5-3cm。
所述前吹扫装置的压缩空气压强为0.3-0.7MPa,后吹扫装置的压缩空气压强为0.05-0.2MPa。
所述空心管的材质可选为PVC材料,通气管路的材质为PU材料。
采用上述的结构后,确保成膜后硅片在流入丝网印刷工序前的表面洁净状态,一方面避免了成膜腔体中的异物脱落到镀膜硅片上致使本身的成膜品质的下降,另一方面避免了成膜后表面附着异物丝网印刷金属化形成过程中对印刷质量造成影响,解决了HJT电池的TCO薄膜生产过程中的碎片遮挡、粉末残留、异物附着等问题,从而改善了HJT电池生产中的良品率并提高生产效率。
附图说明
图1为本实用新型用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





