[实用新型]像素结构及透明显示器件有效
| 申请号: | 201820649117.6 | 申请日: | 2018-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN208570612U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 陈亚文;史文;宋晶尧;付东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 万志香 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素界定层 墨水沉积 像素结构 透明显示 像素单元 透光区 衬底 本实用新型 同色子像素 发光区 透光性 透明的 子像素 分辨率 色子 疏液 像素 制备 外围 隔离 | ||
本实用新型涉及一种像素结构及透明显示器件。该像素结构包括多个像素单元,每个像素单元包括多种颜色的子像素,每个像素单元包括:衬底;第一像素界定层,设置于衬底上,第一像素界定层开设有墨水沉积槽,相邻的同色子像素位于同一墨水沉积槽中,相邻的异色子像素被第一像素界定层隔离,墨水沉积槽包括透光区和位于透光区外围的发光区;及第二像素界定层,设置于透光区,第二像素界定层为透明的,且为疏液像素界定层,第二像素界定层的厚度小于第一像素界定层的厚度。上述像素结构的墨水沉积槽较大,能够制备分辨率较高且透光性较好的透明显示器件。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素结构及透明显示器件。
背景技术
透明显示为一种全新的显示技术,即能够让观察者透过显示屏看到显示屏后方的背景,从而带来一种全新的人机交互体验,能够用于手机、电脑、冰箱、展示与广告牌等领域。
有机电致发光二极管(OLED)与量子点发光二极管(QLED)均具有既轻又薄的特点,而成为目前透明显示面板发展的重要方向。溶液加工技术因其低成本、高产能且易于实现大尺寸等优点,成为制作OLED和QLED的主要方法。其中,印刷技术被认为是实现OLED与QLED的低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但是,通过印刷技术实现显示面板的高分辨率需要保证墨水的沉积区域较大。一些研究将相同颜色的子像素放置于同一墨水沉积区,从而扩大墨水沉积区。然而对于透明显示,子像素包括发光区与透光区,透光区的设置部分占用了原有的发光区,减小了发光区的尺寸,从而减少了墨水的沉积区域,因此对于透明显示依然存在因透光区设置导致墨水沉积区减小的问题。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种像素结构及透明显示器件,该像素结构的墨水沉积槽较大,能够制备分辨率较高且透光性较好的透明显示器件。
一种基于透明显示面板的像素结构,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括多种颜色的子像素,其特征在于,每个所述像素单元包括:
衬底;
第一像素界定层,设置于所述衬底上,所述第一像素界定层开设有墨水沉积槽,相邻的同色子像素位于同一所述墨水沉积槽中,相邻的异色子像素被所述第一像素界定层隔离,所述墨水沉积槽包括透光区和位于所述透光区外围的发光区;及
第二像素界定层,设置于所述透光区,所述第二像素界定层为透明的,且所述第二像素界定层为疏液像素界定层,所述第二像素界定层的厚度小于所述第一像素界定层的厚度。
上述像素结构的第一像素界定层开设墨水沉积槽,相邻的同色子像素位于于同一个墨水沉积槽中,使得相邻的同色子像素的墨水均于同一墨水沉积槽中沉积,从而扩大了墨水的沉积区域,进而使得能够通过减少单个墨水沉积槽中单个子像素的尺寸,以制备分辨率较高的透明显示面板,墨水沉积槽包括透光区与位于透光区外围的发光区,使得位于同一墨水沉积槽中的相邻同色子像素能够共用透光区,以保证包括上述像素结构的显示器件的透光性,同时,使得发光区与透光区均能够沉积墨水而共同形成墨水的沉积区域,从而扩大墨水的沉积区域,由于第二像素界定层设置于透光区,且第二像素界定层的厚度小于第一像素界定层的厚度,有利于保证透光区的透光性,又由于第二像素界定层为疏液像素界定层,在印刷过程中,使得沉积于第二像素界定层表面的墨水在干燥时无法于第二像素界定层表面钉扎而回缩至发光区,从而不会于第二像素界定层的表面沉积薄膜,进而提高透光区的透光性。上述像素结构的墨水沉积槽较大,能够制备分辨率较高且透光性较好的透明显示器件。
在其中一个实施例中,所述第一像素界定层的厚度为800nm~1500nm,所述第二像素界定层的厚度为100nm~250nm。
在其中一个实施例中,所述第一像素界定层为疏液像素界定层,所述第二像素界定层的接触角大于110°。
在其中一个实施例中,所述第一像素界定层为疏水性光阻材料层;及/或,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





