[实用新型]像素结构及透明显示器件有效
| 申请号: | 201820649117.6 | 申请日: | 2018-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN208570612U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 陈亚文;史文;宋晶尧;付东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 万志香 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素界定层 墨水沉积 像素结构 透明显示 像素单元 透光区 衬底 本实用新型 同色子像素 发光区 透光性 透明的 子像素 分辨率 色子 疏液 像素 制备 外围 隔离 | ||
1.一种像素结构,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括多种颜色的子像素,其特征在于,每个所述像素单元包括:
衬底;
第一像素界定层,设置于所述衬底上,所述第一像素界定层开设有墨水沉积槽,相邻的同色子像素位于同一所述墨水沉积槽中,相邻的异色子像素被所述第一像素界定层隔离,所述墨水沉积槽包括透光区和位于所述透光区外围的发光区;及
第二像素界定层,设置于所述透光区,所述第二像素界定层为透明的,且所述第二像素界定层为疏液像素界定层,所述第二像素界定层的厚度小于所述第一像素界定层的厚度。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层的厚度为800nm~1500nm,所述第二像素界定层的厚度为100nm~250nm。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层为疏液像素界定层,所述第二像素界定层的接触角大于110°。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层为疏水性光阻材料层;及/或,
所述第二像素界定层为疏水性光阻材料层。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述发光区的宽度与所述透光区的宽度之比为2:1~1:2。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述透光区的宽度为50μm~120μm。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,包括反射电极,所述反射电极设置于所述衬底上,且位于所述发光区。
8.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层部分覆盖相邻所述异色子像素的所述反射电极;及/或,
所述第二像素界定层部分覆盖相邻所述同色子像素的所述反射电极。
9.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,还包括发光功能层,所述发光功能层设置于所述反射电极上,且位于所述发光区中。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、激子限定层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层,所述电子阻挡层与所述激子限定层分别层叠于所述发光层的两侧,所述空穴传输层层叠于所述电子阻挡层远离所述发光层的一侧,所述空穴注入层层叠于所述空穴传输层远离所述电子阻挡层的一侧,所述空穴阻挡层层叠于所述激子限定层远离所述发光层的一侧,所述电子传输层层叠于所述空穴阻挡层远离所述激子限定层的一侧,所述电子注入层层叠于所述电子传输层远离所述空穴阻挡层的一侧。
11.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,还包括透明电极,所述透明电极覆盖于所述发光功能层的表面及所述第二像素界定层的表面。
12.一种透明显示器件,其特征在于,包括权利要求1~11任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





