[实用新型]一种新型的太阳能电池镀膜石墨舟

说明书

本实用新型公开一种新型的太阳能电池镀膜石墨舟，包括若干石墨板，若干石墨板在竖向呈叠层状排列；所述石墨板水平布置，相邻的石墨板之间具有间隙，且相邻石墨板之间经若干连接柱连接；每一石墨板顶部设有若干硅片定位机构，硅片定位机构包括若干定位支柱。本实用新型可有效地避免绕镀、卡点造成的镀膜不良、硅片破裂造成的短路问题等。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种新型的太阳能电池镀膜石墨舟。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，目前的可持续能源中，太阳能是最清洁、最具有潜力的清洁能源。晶硅太阳能电池已被大规模生产应用，良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。

氮化硅薄膜由于具有结构致密性，良好的绝缘性，低反射率，对杂质离子的掩蔽能力等，因此作为一种太阳电池减反射膜已被光伏工业界认知和广泛的应用。常见的制备氮化硅薄膜的方法有LPCVD法(低压化学气相沉积)和PECVD法(等离子体增强化学气相沉积)等。为了提升杂质离子的掩蔽能力，能在较低温度(<500℃)沉积氮化硅薄膜的PECVD法称为光伏电池工艺链的首选。

PECVD法利用射频电压加在相对安置的两个平板电极上，在其间通入反应气体来产生等离子体实现薄膜在衬底上的沉积。如图1至2所示，现有的平板要求硅片直立排放，平板上设有定位卡点支撑，定位卡点与平板的距离比硅片稍宽，以让硅片能够比较顺利的被放上去。这样的设计会带来以下问题：

1)硅片被放上定位卡点的时候难免摩擦(硅片5的正面可能会与定位卡点2’摩擦，即图1中A所示第一摩擦点；硅片5背面可能会与石墨板1’摩擦，即图1中B所示的第二摩擦点)，而造成划伤降低电池效率；

2)因硅片5的一端(倚靠在定位卡点2’的一端)倾斜以致硅片5的背面与石墨板1’的间隙较大，较易造成绕镀现象(绕镀区域如图2中C所示)，降低电池效率，严重的甚至可以造成漏电异常；

3)硅片5的另一端(倚靠在石墨板1’上的一端)因一定程度上被定位卡点2’挡住，一定程度上妨碍了工艺气体的沉积，会呈现极浅或无镀膜表面，造成镀膜不良，如外观不雅和对金属污染的抗性下降；

4)若硅片破裂接触对面的平板，将导致短路，工艺不良。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种新型的太阳能电池镀膜石墨舟，可有效地避免绕镀、卡点造成的镀膜不良、硅片破裂造成的短路问题等。

为实现上述目的，采用以下技术方案：

一种新型的太阳能电池镀膜石墨舟，包括若干石墨板，若干石墨板在竖向呈叠层状排列；所述石墨板水平布置，相邻的石墨板之间具有间隙，且相邻石墨板之间经若干连接柱连接；每一石墨板顶部设有若干硅片定位机构，硅片定位机构包括若干定位支柱。

较佳地，每一定位支柱的顶部设有防滑纹路。

较佳地，所述石墨舟还包括上盖板、下盖板；所述若干石墨板置于上盖板和下盖板之间。

较佳地，所述连接柱采用陶瓷材质。

较佳地，每一石墨板上的硅片定位机构设置为4～9个。

较佳地，每一硅片定位机构上的定位支柱设置为3个或4个。

采用上述方案，本实用新型的有益效果是：

1)硅片平放在定位支柱顶部，放置过程不会与定位支柱有摩擦，因此能避免硅片被划伤；

2)水平放置的硅片和石墨板间几乎没有空隙，反应气体无法有效地沉积在硅片背面，因此大幅度地减少绕度问题；

3)硅片平放在定位支柱顶部，硅片正面完全暴露在工艺气体中形成完美沉积，避免卡点造成的镀膜不良问题；