[实用新型]电压浪涌保护电路和电磁加热装置

权利要求书

1.一种电压浪涌保护电路，包括依次连接的整流电路(1)和目标半导体功率元件(2)，以及，与所述整流电路(1)连接的浪涌检测电路(3)，其特征在于，所述电压浪涌保护电路还包括：与所述目标半导体功率元件(2)连接的供电电容C1，以及，连接至所述供电电容C1的供电电容检测电路(4)；

所述供电电容检测电路(4)用于在检测到所述供电电容C1的电压大于预设阈值时，触发所述浪涌检测电路(3)，并控制所述目标半导体功率元件(2)开通或关断。

2.根据权利要求1所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述电压浪涌保护电路还包括：推挽电路(5)，且所述推挽电路(5)上连接有脉冲程序发生器PPG，其中，所述脉冲程序发生器PPG与目标半导体功率元件(2)设置在同一电磁加热装置中；

所述推挽电路(5)的输出端与所述目标半导体功率元件(2)连接，所述推挽电路(5)的输入端与所述供电电容检测电路(4)连接；

相对应的，所述供电电容检测电路(4)在控制所述目标半导体功率元件(2)开通或关断时，还控制所述推挽电路(5)关闭所述脉冲程序发生器PPG。

3.根据权利要求2所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述供电电容检测电路(4)包括：依次串联的电阻R31、R32和R33，以及，第一支路；

所述第一支路上依次串联有稳压二极管ZD2、电阻R34和二极管Q4；

所述电阻R31连接至供电电容C1侧；

所述稳压二极管ZD2连接在所述电阻R32和R33之间；

所述二极管Q4的集电极与所述推挽电路(5)的输入端连接。

4.根据权利要求1所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述电压浪涌保护电路还包括：分别连接所述浪涌检测电路(3)和所述供电电容检测电路(4)的浪涌通知电路(6)，且所述浪涌通知电路(6)上设有单片机端口INT；

所述浪涌通知电路(6)用于在所述供电电容C1的电压大于预设阈值时，升高所述单片机端口INT电压，使得连接至所述单片机端口INT的单片机(7)停止功率输出并清除当前的操作标志位，以及在经过预定时间后重新控制功率输出；

其中，所述单片机(7)与目标半导体功率元件(2)设置在同一电磁加热装置中。

5.根据权利要求4所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌通知电路(6)包括：

电容C21、依次串联的电阻R21、R22和R23，以及，第二支路；

所述第二支路上依次串联有电阻R24、稳压二极管ZD1和所述单片机端口INT；

所述电阻R21连接至供电电容C1侧；

所述电阻R22与电容C21并联；

所述电阻R24连接在所述电阻R22和R23之间；

所述单片机端口INT与所述浪涌检测电路(3)连接。

6.根据权利要求1所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌检测电路(3)为正向浪涌检测电路(31)；

所述正向浪涌检测电路(31)用于检测经整流电路(1)整流后的市电电压中的正向脉冲浪涌。

7.根据权利要求6所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述正向浪涌检测电路(31)包括：

电容C11和C12、电阻R14，以及，依次串联的电阻R11、R12和R13；

所述电阻R11连接至所述整流电路(1)；

所述电容C11与电阻R12并联；

所述电阻R14的一次侧连接在所述电阻R12和R13之间；

所述电容C12在所述电阻R14的二次侧与所述R13并联。

8.根据权利要求1至7任一所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述整流电路(1)为桥式整流电路。

9.根据权利要求1至7任一所述的电压浪涌保护电路，其特征在于，所述目标半导体功率元件(2)为电磁加热装置的IGBT。

10.一种电磁加热装置，其特征在于，所述电磁加热装置中设有如权利要求1至9任一项所述的电压浪涌保护电路。