[实用新型]一种带压块预热盖板有效
申请号: | 201820418643.1 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN208127145U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 罗春艳;彭小舟 | 申请(专利权)人: | 科广电子(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预热 盖板 压块 发热薄膜 弹性条 石墨烯 限位槽 限位块 压料槽 带压 本实用新型 盖板中部 受热均匀 出料槽 进料槽 倾斜部 共晶 排布 尾端 | ||
本实用新型提供的一种带压块预热盖板,包括预热盖板,所述预热盖板中部依次设有进料槽、压料槽、以及出料槽,所述压料槽底部固定设有若干弹性条,所述弹性条上侧设有压块,所述压块包括主体、以及位于所述主体前端的倾斜部,所述压块上侧还设有若干限位块,相邻的所述限位块之间形成一个限位槽,每个所述限位槽底部均设有石墨烯发热薄膜,所有的所述石墨烯发热薄膜尾端相连后连接有导线。此预热盖板用于安装在引线输送道上侧,可高效地将流经输送道上的引线进行排布,并且使引线受热均匀,便于共晶。
技术领域
本实用新型涉及二极管加工领域,具体涉及一种带压块预热盖板。
背景技术
在半导体的加工制造过程中,共晶是一个重要的步骤,关系到产品的质量好坏。现有的共晶方式为:筛选配比合适的锡合金焊料;预热基片;焊料涂布;在共晶温度下将芯片和引线焊接到基片上;在加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。对于上述工艺,由于引线表面镀银,直接对引线进行焊接可能造成焊接不牢固,因此,需要对引线进行预热。而预热的引线是二极管或三极管的引线,预热目的是使引线上面的镀银软化,便于共晶。由于目前大部分的预热方式是将输送引线的输送道加热,但是这种加热方式只能是将引线的一个面加热,引线受热不均。
实用新型内容
针对以上问题,本实用新型提供一种带压块预热盖板,此预热盖板用于安装在引线输送道上侧,可高效地将流经输送道上的引线进行排布,并且使引线受热均匀,便于共晶。
为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案来解决:
一种带压块预热盖板,包括预热盖板,所述预热盖板中部依次设有进料槽、压料槽、以及出料槽,所述压料槽底部固定设有若干弹性条,所述弹性条上侧设有压块,所述压块包括主体、以及位于所述主体前端的倾斜部,所述压块上侧还设有若干限位块,相邻的所述限位块之间形成一个限位槽,每个所述限位槽底部均设有石墨烯发热薄膜,所有的所述石墨烯发热薄膜尾端相连后连接有导线。
具体的,所述压块两侧设有多个贯穿的第一定位孔,所述压料槽两侧设有对应于所述第一定位孔的第二定位孔,所述第一定位孔内设有定位导柱,所述定位导柱两端插入所述第二定位孔中将所述压块固定在所述压料槽内。
具体的,所述定位导柱与所述第一定位孔之间还设有硅胶垫圈,所述硅胶垫圈套设在所述定位导柱外侧。
具体的,所述出料槽靠向所述压料槽一侧设有一个贯穿所述预热盖板的通孔,所述导线穿过所述通孔。
具体的,所述预热盖板两侧还设有若干安装孔。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型的预热盖板,此预热盖板用于安装在引线输送道上侧,在进料槽与出料槽之间设置一个压料槽,压料槽内安装有压块,压块上设有多个限位槽,每个限位槽只能同时容纳一根引线,从而高效地将流经输送道上的引线进行排布,并且限位槽底部与引线接触的位置设有石墨烯发热薄膜,石墨烯发热薄膜通电发热,可使引线受热均匀,同时引线上面的镀银软化,便于共晶;另外,在压料槽底部还设有若干弹性条,在定位导柱外侧套设有硅胶垫圈,目的是使压块具有较强的弹性效果,避免了由于引线错位而压块过硬所造成的对引线的损坏。
附图说明
图1为本实用新型的一种带压块预热盖板的俯视图。
图2为本实用新型的一种带压块预热盖板的爆炸图。
图3为本实用新型的A部分的放大图。
附图标记为:预热盖板1、进料槽11、压料槽12、弹性条121、第二定位孔122、出料槽13、通孔131、安装孔14、压块2、主体21、倾斜部22、限位块23、限位槽24、石墨烯发热薄膜25、第一定位孔26、定位导柱3、硅胶垫圈4。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造