[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201820100309.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN207781617U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 彭俊林;王东方;王玉亮;刘增利 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢离子 金属氧化物半导体材料 掺入 氧离子 薄膜晶体管 制备 刻蚀阻挡层 显示面板 显示装置 阵列基板 源层 沉积 等离子体增强化学气相沉积 本实用新型 工艺制备 阈值电压 调控 掺杂 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层、通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极；其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层，所述有源层包括掺入氧离子和氢离子的金属氧化物半导体材料。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子刻蚀阻挡层为二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料包括：氧化铟镓锌。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铟镓锌中掺入氧离子的量大于零且小于0.1％，所述氧化铟镓锌中掺入氢离子的量大于零且小于0.01％。
5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的两层子刻蚀阻挡层；或者，
所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的三层子刻蚀阻挡层。
6.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述衬底基板与所述有源层之间的栅极、以及位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层；
所述栅极在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
7.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述刻蚀阻挡层与所述源漏极所在层之间的栅极、以及位于所述栅极与所述源漏极所在层之间的层间绝缘层；其中，所述栅极在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影具有交叠区域；
所述源漏极通过贯穿所述刻蚀阻挡层与所述层间绝缘层的过孔与所述有源层电连接。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求8所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9所述的显示面板。
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