[发明专利]一种色转换层及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201811630819.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109755268A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 张桂洋;查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 薄膜 色转换层 功能膜 显示面板 直下式面光源 光波 面光源 吸收损耗 反射层 光效 基底 反射 制作 发射 激发 应用 | ||
本发明公开了一种色转换层及其制作方法、显示面板,所述色转换层应用于具有直下式面光源的显示面板中,所述色转换层包括量子点薄膜和功能膜;所述功能膜设于所述量子点薄膜朝向所述面光源的一侧,使所述面光源发射的光波透过所述功能膜进入所述量子点薄膜,并使所述量子点薄膜激发的光波经所述功能膜反射回所述量子点薄膜,从而降低基底反射层的吸收损耗,提高直下式面光源的光效。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种色转换层及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着科技的发展,人民的生活水平显著提高,新科技产品更新换代越来越快,仅从显示产品上分析,从最早的CRT(Cathode Ray Tube)到LCD(Liquid Crystal Display),目前发展到OLED(Organic Light Emitting Display)、QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes)、mini-LED。未来的Micro-LED显示技术也已经被提出来,且一些国内外大厂正在进行了这方面的布局。各种适应于AR/VR的头戴显示器也如雨后春笋般般不断出现。
目前的主流显示技术为LCD和OLED显示,但二者各有优缺点。LCD显示是被动显示,虽然其价格便宜、可靠性高,但是光能利用率太低、对比度较低、边框较大,已经渐渐不能满足一些用户的体验需求。OLED是主动发光显示,其光能利用率较高、体型轻薄、边框窄、屏占比高,对比度理论上可以达到无穷大,但其缺点也十分明显,如寿命短,易受水氧、温度的影响,且其亮度较低,在阳光下的可视性效果较差等。比较而言,LED具有体积小、响应快、视角广、光效高、发光波段易调节及可靠性高等优点,在超轻薄、全面屏、异型屏显示中有重要的应用。
为了达到窄边框、高亮度和可靠性的三重要求,基于直下式的LED显示被提出来,当然,基于QLED的直下式显示方案同样可行。以LED为例,LED包括基板14,以及依次设置在基板14上的反射层15、LED 16、平坦层17、色转换层12、扩散膜18和增亮膜19,而各膜层间的折射率存在差异,从而导致部分出射光会在器件内部来回反射。由于基底反射层的反射率小于90%,光在基底反射层发生的多次反射会极大降低了背光的光效,从而导致显示器件亮度不够或者续航能力不足等问题。
发明内容
本发明实施例提供一种色转换层及其制作方法、显示面板,以解决现有直下式面光源面板中,因底层基板反射率不足造成的光效损失的问题。
本发明实施例提供了一种色转换层,应用于具有直下式面光源的显示面板中,所述色转换层包括量子点薄膜和功能膜;
所述功能膜设于所述量子点薄膜朝向所述面光源的一侧,使所述面光源发射的光波透过所述功能膜进入所述量子点薄膜,并使所述量子点薄膜激发的光波经所述功能膜反射回所述量子点薄膜。
进一步地,所述色转换层还包括微结构层;
所述微结构层设于所述量子点薄膜背离所述面光源的一侧。
进一步地,所述色转换层还包括基板;
所述基板设于所述功能膜背离所述量子点薄膜的一侧。
进一步地,所述色转换层还包括第一阻隔层和基板;
所述第一阻隔层设于所述量子点薄膜与所述功能膜之间,所述基板设于所述第一阻隔层与所述功能膜之间。
进一步地,所述色转换层还包括第二阻隔层和保护层;
所述第二阻隔层设于所述量子点薄膜背离所述面光源的一侧,所述保护层设于所述第二阻隔层背离所述量子点薄膜的一侧。
进一步地,所述功能膜包括层叠设置的多个膜层;
相邻两膜层的折射率不同。
进一步地,所述功能膜的材料为无机材料或有机材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的