[发明专利]一种掩模版姿态监测方法、装置及掩模版颗粒度检测设备

说明书

本发明公开了一种掩模版姿态监测方法、装置及掩模版颗粒度检测设备，其中，监测方法包括：获取至少一个标定点至标准面沿第一方向的距离；获取至少一个标定点至待测掩模版上第一检测点、第二检测点和第三检测点沿第一方向的距离，根据获取的数据计算待测掩模版相对于标准面绕第二方向的偏转角度以及绕第三方向的偏转角度，本发明能够在掩模版颗粒度检测过程中，在线对掩模版的姿态进行监测，简化监测设备，提高监测效率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体光刻技术领域，尤其涉及一种掩模版姿态监测方法、装置及掩模版颗粒度检测设备。

背景技术

掩模版在夹持、传输、存储及曝光等过程可能受到污染而在其表面产生颗粒、刮擦痕、针孔等缺陷。在曝光过程中，上述缺陷的存在直接影响到光刻机的图像性能及产率，严重的情况下，产率可降为零。

掩模颗粒度检测系统作为光刻机掩模传输分系统的主要部件之一，能够对掩模版表面上的缺陷大小、位置进行检测。根据检测结果，光刻机操作系统或操作人员可以判定该掩模版能否用于后续的曝光过程。检测结果还可以作为清除掩模版上缺陷时的输入数据。

受照明及成像系统约束，掩模版进行扫描测试前需要对掩模版进行调焦及水平姿态(绕X轴的偏转Rx和绕Y轴的偏转Ry)的检测。当前使用特殊设计的掩模版，对Rx/Ry进行测量，特殊设计掩模版上设计有特定结构的衍射标记，激光沿特定角度入射时，线阵CCD能够接收到衍射标记的散射光强，根据光斑在线阵CCD相机上的位置及偏转测量掩模版的Rx/Ry。但是该方法至能应用于在对掩模版颗粒度检测前的调试，而在具体工作工程中，由于机械手在往复运动中可能会出现偏转，无法始终维持水平状态，使得掩模版也会发生偏转，导致颗粒度检测结果异常。目前，在线直接监测Rx/Ry较为困难，成本较高且效率较低。

发明内容

本发明提供一种掩模版姿态监测方法、装置及掩模版颗粒度检测设备，在掩模版颗粒度检测过程中，在线对掩模版的姿态进行监测，简化监测设备，提高监测效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种掩模版姿态监测方法，包括：

获取至少一个标定点至标准面沿第一方向的距离；

获取至少一个标定点至待测掩模版上第一检测点、第二检测点和第三检测点沿第一方向的距离，其中，第一检测点与第二检测点在标准面内的投影沿第二方向排布，第一检测点与第三检测点在标准面内的投影沿第三方向排布，第一方向、第二方向和第三方向互相垂直，标准面垂直于第一方向；

根据第一检测点至对应的标定点沿第一方向的距离、第一检测点对应的标定点至标准面沿第一方向的距离、第二检测点至对应的标定点沿第一方向的距离、第二检测点对应的标定点至标准面沿第一方向的距离以及第一检测点与第二检测点沿第二方向的距离计算待测掩模版相对于标准面绕第三方向的偏转角度；

根据第一检测点至对应的标定点沿第一方向的距离、第一检测点对应的标定点至标准面沿第一方向的距离、第三检测点至对应的标定点沿第一方向的距离、第三检测点对应的标定点至标准面沿第一方向的距离以及第一检测点与第三检测点沿第三方向的距离计算待测掩模版相对于标准面绕第二方向的偏转角度。

可选的，在获取至少一个标定点至标准面沿第一方向的距离之前，还包括：

对标定掩模版进行调平，以使标定掩模版垂直于第一方向，标定掩模版的表面为标准面。

可选的，标定点包括第一标定点和第二标定点，第一标定点和第二标定点沿第二方向排布，获取至少一个标定点至待测掩模版上第一检测点、第二检测点和第三检测点沿第一方向的距离，包括：

获取第一标定点至第一检测点沿第一方向的距离，以及第二标定点至第二检测点沿第一方向的距离；

沿第三方向移动待测掩模版，获取第一标定点至第三检测点沿第一方向的距离，其中，待测掩模版沿第三方向移动的距离为第一检测点与第三检测点沿第三方向的距离。