[发明专利]具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器在审
| 申请号: | 201811618792.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN110620121A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | 郑宇荣 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防反射层 栅格图案 光电转换元件 图像传感器 滤色器 基板 下栅 嵌入 隔离区域 上栅格 微透镜 | ||
具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器。一种图像传感器可包括:多个光电转换元件,其形成在基板中,并且多个隔离区域设置在多个光电转换元件之间;防反射层,其形成在基板上方;多个栅格图案,其形成在防反射层上方;多个滤色器,其介于多个栅格图案之间;以及微透镜,其形成在滤色器上方。各个栅格图案可包括上栅格部分和下栅格部分,并且下栅格部分的底部被嵌入在防反射层中。
技术领域
本文献所公开的技术和实现方式涉及一种在相邻滤色器之间具有栅格图案的图像传感器及其制造方法。
背景技术
随着近来信息通信行业的发展和电子装置的数字化,增强图像传感器用在诸如数字相机、摄像机、移动电话、个人通信系统(PCS)、游戏机、安全相机和医疗微型相机的各种领域中。通常,图像传感器具有包括响应于入射光生成光电子的光电二极管的像素区域以及处理与所生成的光电子对应的信号的外围区域。单位像素包括光电二极管和传输晶体管。传输晶体管被设置在光电二极管和浮置扩散区域之间,并且将光电二极管所生成的电荷传输到浮置扩散区域。
发明内容
各种实施方式提供了一种具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器。
另外,各种实施方式提供了一种具有形成在栅格图案的侧表面上的侧反射层的图像传感器。
另外,各种实施方式提供了一种包括在材料上彼此连续的防反射层和隔离区域的图像传感器。
另外,各种实施方式提供了一种包括适形地形成在防反射层的顶表面和栅格图案的表面上的涂层的图像传感器。
另外,各种实施方式提供了一种包括上述图像传感器的相机系统。
另外,各种实施方式提供了一种用于制造具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器的方法。
另外,各种实施方式提供了一种用于制造形成在栅格图案的侧表面上的侧反射层的方法。
另外,各种实施方式提供了一种用于制造图像传感器的方法,该图像传感器包括在材料上彼此连续的防反射层和隔离区域。
另外,各种实施方式提供了一种用于制造图像传感器的方法,该图像传感器包括适形地形成在防反射层的顶表面和栅格图案的表面上的涂层。
在实施方式中,一种图像传感器可包括:多个光电转换元件,其形成在基板中,各个光电转换元件响应光以生成光感测电信号;隔离区域,其设置在相邻光电转换元件之间并且被配置为将多个光电转换元件彼此隔离;防反射层,其形成在基板上方以减小光学反射,以通过防反射层方便入射到光电转换元件的光的光学透射;多个栅格图案,其形成在防反射层上方以分离光电转换元件上方的空间,光电转换元件通过所述空间接收入射光;以及多个滤色器,其布置在多个栅格图案之间,各个滤色器被构造为选择入射光中的指定颜色透射通过对应光电转换元件;以及多个微透镜,其分别形成在滤色器上方以将入射光通过滤色器引导到光电转换元件。各个栅格图案可包括上栅格部分以及设置在上栅格部分下方的下栅格部分,并且下栅格部分的底部被嵌入在防反射层中。
上栅格部分可具有大于下栅格部分的水平宽度。
上栅格部分的侧表面可具有第一倾斜。下栅格部分的侧表面可具有第二倾斜。第二倾斜可比第一倾斜更垂直于基板的表面。
该图像传感器还可包括形成在栅格图案的两个侧表面上的侧反射层。
侧反射层可与滤色器接触。
侧反射层可具有小于滤色器的折射率。
上栅格部分的顶表面可具有与侧反射层基本上相同的水平宽度。
侧反射层可具有在垂直方向平坦的侧表面。
侧反射层的上部的平均水平厚度可小于侧反射层的下部的平均水平厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





