[发明专利]一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法

权利要求书

1.一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法，所述方法包括以下步骤：

(1)在衬底上沉积导电层；

(2)在导电层上涂覆抗蚀剂胶膜，通过曝光和显影在所述抗蚀剂胶膜上形成沉积-剥离图形和刻蚀图形；

(3)通过刻蚀将抗蚀剂胶膜上的所述沉积-剥离图形和刻蚀图形转移到所述导电层；

(4)采用抗蚀剂或固体掩膜遮盖所述刻蚀图形，而不遮盖所述沉积-剥离图形；

(5)在所述抗蚀剂或固体掩膜上以及通过所述沉积-剥离图形而露出的衬底上沉积一层用于构成所述沉积-剥离图形的材料；和

(6)除去所述抗蚀剂或固体掩膜以及沉积在其上的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底为蓝宝石、硅、石英或金属衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层为金、银、铂、钛、铬、镍、铝、铌、钨、钌、锰、铁、钴、锌和铜中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层的厚度为1～2000nm。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述导电层的厚度为100～500nm。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电层的厚度为100～200nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀剂为电子束抗蚀剂或光致抗蚀剂。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述电子束抗蚀剂为正性电子束抗蚀剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀剂胶膜的厚度为100nm～5000nm。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述抗蚀剂胶膜的厚度为300nm～1500nm。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(2)中所述的涂覆抗蚀剂胶膜包括以下操作：在导电层上旋涂抗蚀剂，然后置于115～200℃的热板上固干，固干的时间为1～30分钟。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(2)中所述的曝光包括以下操作：将具有沉积-剥离图形和刻蚀图形的掩模版置于抗蚀剂胶膜上，然后对样品进行曝光；或者采用直写方式，由图形发生器将沉积-剥离图形和刻蚀图形转换为点阵曝光到抗蚀剂胶膜上。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(2)中曝光的方式为紫外线曝光、软X线曝光、电子束曝光和离子束曝光中的一种或多种。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，步骤(2)中曝光的方式为电子束曝光。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述步骤(2)包括：

(a)在导电层上旋涂电子束抗蚀剂胶膜，并置于150～170℃的热板上固干；

(b)采用直写方式，由图形发生器将沉积-剥离图形和刻蚀图形转换为点阵，采用电子束曝光设备进行曝光；和

(c)将步骤(b)中制得的曝光后的样品置于乙酸丁酯中显影，然后在异丙醇中定影。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(3)还包括清洗刻蚀后的样品的步骤，清洗所采用的试剂为异丙醇和/或水。

17.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述步骤(4)中遮盖刻蚀图形包括以下操作：在显微镜下用抗蚀剂涂盖刻蚀图形，然后置于115～200℃的热板上固干，固干的时间为1～30分钟。