[发明专利]激光发射器、激光接收器、晶圆测平器及晶圆测平方法有效
申请号: | 201811607540.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109411384B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 胡孝伟;陶利权;严雪冬;张金环;刘志伟 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 杨鹏 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 发射器 接收器 测平器 晶圆测 平方 | ||
1.一种激光发射器,包括激光发射端组件和用于固定激光发射端组件的第一安装基座,其特征在于:所述第一安装基座包括固定座、连接件、连接座和安装支架,所述激光发射端组件连接在所述固定座上,并能发射朝向第一方向的激光线束;所述固定座通过所述连接件连接在所述连接座上,且所述固定座能绕第二方向旋转;所述连接座连接在所述安装支架,且所述连接座能沿第三方向上下移动且能绕第三方向旋转,其中,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互成垂直设置,所述第三方向为所述安装支架的长度方向。
2.根据权利要求1所述的激光发射器,其特征在于:所述连接座上开设有第一安装孔,且所述连接座通过所述第一安装孔套设在所述安装支架上,在所述连接座的侧壁上开设有与所述第一安装孔相通的第一连接孔,所述第一连接孔内穿设有能与所述安装支架成压紧配合的第一紧固件。
3.根据权利要求2所述的激光发射器,其特征在于:所述连接座的侧壁上开设有第二安装孔,所述连接件一端固定连接在所述第二安装孔内,另一端连接有能转动的固定座。
4.根据权利要求3所述的激光发射器,其特征在于:所述固定座的侧壁上开设有第三安装孔,且所述固定座通过所述第三安装孔套设在所述连接件上,在所述固定座的顶面上设有与所述第三安装孔相通的第二连接孔,所述第二连接孔内穿设有能与所述连接件成压紧配合的第二紧固件。
5.根据权利要求4所述的激光发射器,其特征在于:在所述固定座上开设有第三连接孔,所述第三连接孔内穿设有第三紧固件,所述激光发射端组件通过所述第三紧固件固定在所述固定座的下方。
6.根据权利要求5所述的激光发射器,其特征在于:所述第二连接孔和所述第三连接孔的轴线方向均与所述第三方向成同向设置。
7.一种激光接收器,其特征在于:包括激光接收端组件和用于固定激光接收端组件的第二安装基座,所述第二安装基座的结构与权利要求1至6任一项所述的激光发射器中的第一安装基座的结构相同,且所述第二安装基座与所述第一安装基座具有相同的配件和配件连接关系。
8.一种晶圆测平器,包括成间隔设置的激光发射器和激光接收器,其特征在于:所述激光发射器为如权利要求1至6任一项所述的激光发射器,所述激光接收器为如权利要求7所述的激光接收器,所述激光发射端组件与所述激光接收端组件成相对设置。
9.根据权利要求8所述的晶圆测平器,其特征在于:所述激光发射器设有两个,所述激光接收器设有两个,其中,相对的所述激光发射器和所述激光接收器构成第一组激光放线装置,另两个构成第二组激光放线装置,且所述第一组激光放线装置所放出的激光线束与所述第二组激光放线装置所放出的激光线束相互之间为平行设置。
10.一种晶圆测平方法,使用晶圆清洗设备和如权利要求9所述晶圆测平器,所述晶圆清洗设备包括控制中心和用于放置晶圆的晶圆载座,其特征在于:包括以下步骤,
将所述晶圆测平器安装在所述晶圆清洗设备上,使得所述激光发射器和所述激光接收器分别设于所述晶圆载座的两侧,并使得所述激光发射器和所述激光接收器分别与所述控制中心电性连接;
所述控制中心控制各个所述激光发射器发射出激光线束;
各个所述激光接收器实时传回信号,所述控制中心接收并判断各个信号是否同时达到预设条件:
是,则晶圆处于水平状态,所述控制中心控制所述晶圆清洗设备进入原定工作流程,
否,则晶圆处于非水平状态,所述控制中心控制所述晶圆清洗设备中断原定工作流程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造