[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，

在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；

在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料为耐高温富碳涂层材料、低温富碳涂层材料或光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层表面有台阶。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层位于有源区和隔离区。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料层上表面为平面。

6.根据权利要求1-5之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料层的厚度为

7.根据权利要求1-6之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该有机涂层材料层上淀积无氮介质抗反射层。

8.根据权利要求7所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该无氮介质抗反射层的厚度为

9.根据权利要求7或8所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该无氮介质抗反射层上涂上底部抗反射层。

10.根据权利要求9所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该底部抗反射层的厚度为

11.根据权利要求9或10所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该底部抗反射层上涂布光刻胶。

12.根据权利要求11所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该光刻胶的厚度为

13.根据权利要求1-12之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层包括多晶硅层、氮化硅层、氧化硅层，该集成电路包含一栅氧化层，在该栅氧化层上依次淀积多晶硅、氮化硅、氧化硅。

14.一种集成电路的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在隔离区与有源区上依次淀积上多晶硅、氮化硅、氧化硅，涂上有机涂层材料层，淀积无氮介质抗反射层，涂上底部抗反射层，涂布光刻胶，对光刻胶进行露光显影；

步骤S2，在步骤S1的基础上以光刻胶为掩膜进行底部抗反射层的刻蚀；

步骤S3，在步骤S2的基础上以光刻胶为掩膜进行无氮介质抗反射层的刻蚀；

步骤S4，在步骤S3的基础上以无氮介质抗反射层为掩膜进行有机涂层材料层的刻蚀；

步骤S5，在步骤S4的基础上以有机涂层材料层为掩膜进行氧化硅层刻蚀；

步骤S6，在步骤S5的基础上以有机涂层材料层为掩膜进行氮化硅层刻蚀；

步骤S7，在步骤S6的基础上去有机涂层材料层；

步骤S8，在步骤S7的基础上对该集成电路的栅极进行切割，进行该多晶硅刻蚀，并得到集成电路该栅极的形貌。

15.根据权利要求14所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该步骤S1前还包括步骤S0，在衬底材料上生长或淀积一栅氧化层。

16.根据权利要求14所述的集成电路的制造方法，其特征在于，步骤S4中的刻蚀条件为系统真空度要求为10mTorr～300mTorr，采用氧气、二氧化硫、氮气或氢气，信号源的输出功率为200W～1500W。

17.根据权利要求14所述的集成电路的制造方法，其特征在于，步骤S1包括步骤S11，对光刻胶进行烘干。

18.根据权利要求14所述的集成电路的制造方法，其特征在于，步骤S3包括步骤S31，去除光刻胶和底部抗反射层。