[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，所述薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成缓冲层；在缓冲层沉积非晶硅层；在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层；所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行曝光显影形成半导体层；对所述半导体层两端进行掺杂；在所述半导体层上依次沉积栅极绝缘层，栅极、层间绝缘层和源漏电极层。这种制造方法可以降低薄膜晶体管的残留金属，有效降低漏电流，同时得到的晶粒更大，使薄膜晶体管表面更为平整，性能更好。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(Low-temperature Polycrystalline Silicon thinfilm transisitors,LTPS TFT)因为其展现比较好的电学性能和可以被做成集成电路在平板显示领域得到很大应用。传统的固相结晶(solid-phase crystallization，SPC)和准分子激光退火(Excimer laser annealing,ELA)是使非晶硅结晶常用的方法。但是，准分子激光退火则需要很高的成本和产生晶粒分布不均匀；固相结晶需要长时间的高温加热，这不仅会导致玻璃基板发生相变，而且会降低面板的生产效率；

金属诱导结晶是另一种固相结晶技术，通常使用金属镍，这种方法结晶需要的温度低，但是制造的薄膜晶体管中会残留金属，导致较大的漏电流。有一些研究去除薄膜晶体管中残留金属的技术，例如Ni偏置金属诱导横向结晶法、通过添加覆盖层(SiNx,SiO2),吸杂技术。然而这些技术复杂并且需要长时间高温退火，这会破坏薄膜晶体管，导致性能下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种降低残留金属，高质量和性能稳定的薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

为实现上述目的，本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成缓冲层；在缓冲层沉积非晶硅层；在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层；所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行曝光显影形成半导体层；对所述半导体层两端进行掺杂；在所述半导体层上依次沉积栅极绝缘层，栅极、层间绝缘层和源漏电极层。

可选的，所述在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层步骤包括：在非晶硅层上通过磁控溅射二硅化镍材料形成所述金属种子层。

可选的，所述在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层步骤包括：

在非晶硅层表面沉积金属镍薄膜；

加热使所述金属镍薄膜与非晶硅反应；

用酸溶液去除未反应的金属镍，形成金属种子层。

可选的，所述在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层步骤包括：

在非晶硅层表面形成刻蚀阻挡层；

在刻蚀阻挡层表面形成牺牲层；

在所述牺牲层表面覆盖所述金属种子层；

所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层步骤和所述对所述多晶硅层两端进行掺杂步骤之间包括：

去除所述牺牲层和刻蚀阻挡层；

所述牺牲层与所述非晶硅层材料相同。

可选的，所述刻蚀阻挡层不超过5nm。

可选的，所述去除所述牺牲层和刻蚀阻挡层的步骤包括：

采用湿蚀刻去除所述牺牲层和刻蚀阻挡层。

可选的，在所述牺牲层表面覆盖所述金属种子层的步骤包括：