[发明专利]谐振器制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器的制作方法。该谐振器的制作方法包括：对衬底进行预处理，改变衬底预设区域部分的预设反应速率，使得预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率；对所述衬底进行所述预设反应，生成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分包括位于所述衬底上表面之上的上半部分和位于所述衬底下表面之下的下半部分；在所述牺牲材料层上形成多层结构；所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及谐振器制作方法。

背景技术

谐振器可以用于各种电子应用中实施信号处理功能，例如，一些蜂窝式电话及其它通信装置使用谐振器来实施用于所发射和/或所接收信号的滤波器。可根据不同应用而使用数种不同类型的谐振器，例如薄膜体声谐振器(FBAR)、耦合式谐振器滤波器(SBAR)、堆叠式体声谐振器(SBAR)、双重体声谐振器(DBAR)及固态安装式谐振器(SMR)。

典型的声谐振器包括上电极、下电极、位于上下电极之间的压电材料、位于下电极下面的声反射结构以及位于声反射结构下面的衬底。通常将上电极、压电层、下电极三层材料在厚度方向上重叠的区域定义为谐振器的有效区域。当在电极之间施加一定频率的电压信号时，由于压电材料所具有的逆压电效应，有效区域内的上下电极之间会产生垂直方向传播的声波，声波在上电极与空气的交界面和下电极下的声反射结构之间来回反射并在一定频率下产生谐振。

传统的谐振器制作方法，对于谐振器工作区域的表面粗糙度不容易控制。

发明内容

基于上述问题，本发明提供一种谐振器工作区域的表面粗糙度较为容易控制的谐振器的制作方法。

本发明实施例的第一方面提供一种谐振器制作方法，包括：

对衬底进行预处理，改变衬底预设区域部分的预设反应速率，使得预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率；

对所述衬底进行所述预设反应，生成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分包括位于所述衬底上表面之上的上半部分和位于所述衬底下表面之下的下半部分；

在所述牺牲材料层上形成多层结构；所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；

去除所述牺牲材料部分。

可选的，所述下半部分由底面和第一侧面围成；所述底面整体与所述衬底表面平行，所述第一侧面为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。

可选的，所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

可选的，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底面所在的平面之上；

所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。

可选的，所述第一圆滑曲面的曲率小于第一预设值。

可选的，所述上半部分由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半部分对应的部分包括顶面和第二侧面，所述第二侧面为由所述顶面边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。

可选的，所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；

所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶面所在的平面之下；

所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。

可选的，所述第二圆滑曲面的曲率小于第二预设值。

可选的，所述对所述衬底进行所述预设反应，生成牺牲材料部分，包括：