[发明专利]一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2有效

专利信息
申请号: 201811571308.6 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109701534B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 严继康;陈俊宇;刘明;姜贵民;甘国友;杜景红;张家敏;易健宏 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 极低带隙 掺杂 tio base sub
【说明书】:

发明公开一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒的制备方法,CuCl2•2H2O放入水中,得到A液;在磁力搅拌条件下,在A液中滴加四正丁醇钛,滴加完毕后继续搅拌得到B液;在B液中滴加硝酸,滴加完毕后继续搅拌得到C液;C液干燥后在420℃~460℃保温1~2h,得到具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒;本发明制备得到的铜掺杂TiO2纳米颗粒具有很好的光催化活性,在污染物降解之类的环境保护方面具有重要的应用价值。

技术领域

本发明涉及一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒的制备方法,属于光谱学领域。

背景技术

由于TiO2具有良好的商用性能、光学和电子性能、化学稳定性和低毒性等优点,作为多相催化剂或半导体得到了广泛的研究。为了拓宽TiO2在这些领域的应用范围,掺杂改性成为最重要的手段之一。例如,以下元素被用作光催化剂应用的掺杂元素:Fe,Cr,C,N,Bi。在光谱应用领域,掺杂TiO2半导体在染料敏化太阳能电池中的应用研究中有Ni、V、Yb等被用作掺杂元素。其中,Cu掺杂在不同的应用中被普遍的运用,制备方法分为三类:(1)通过工业制造的TiO2浸渍方法合成获得二氧化钛,(2)通过一个含Cu元素的前驱体获得TiO2(3)溶胶-凝胶制备方法。对于各种实验中Cu- TiO2样品,在某些情况下带隙能量都已给出。例如,使用湿浸渍方法,其带隙能量值较高,在2.40eV~2.83eV之间,Cu掺杂量在2%~10%之间,制备带隙能量值低的铜掺杂TiO2还未见报道。

发明内容

本发明提供一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒的制备方法,具体包括以下步骤:

(1)将2~8g的CuCl2•2H2O放入100mL的温度为2~5℃的水中,得到A液;

(2)在磁力搅拌条件下,在步骤(1)的A液中滴加45~50mL四正丁醇钛,滴加完毕后继续搅拌30~40min,得到B液;

(3)在步骤(2)的B液中滴加4~6mL硝酸,滴加完毕后继续搅拌30~40min,得到C液;

(4)步骤(3)的C液50~60℃真空旋转吸盘干燥,然后加热至90~100℃干燥直到完全消除水分;

(5)步骤(4)的产物在420℃~460℃保温1~2h,得到具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒。

步骤(2)磁力搅拌转速为1400~1600rpm。

步骤(2)四正丁醇钛的滴加速度为0.3~0.6mL/s。

步骤(3)硝酸的质量分数为60~70%,硝酸的滴加速度为0.1~0.2mL/s。

本发明制备的铜掺杂TiO2纳米颗粒带隙能极低,而且可见光吸收率比之前未掺杂铜的TiO2样品吸收率提高了3%~5%,该铜掺杂TiO2样品污染物降解之类的环境保护方面具有重要的应用价值。

附图说明

图1为实施例1制备的铜掺杂TiO2的TEM图像;

图2为结晶TiO2和实施例1~3制备得到的铜掺杂TiO2的XRD图谱(图中曲线从上往下分别是未掺杂TiO2和实施例1、实施例2、实施例3制备的铜掺杂TiO2);

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