[发明专利]一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2 有效
| 申请号： | 201811571308.6 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109701534B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 严继康;陈俊宇;刘明;姜贵民;甘国友;杜景红;张家敏;易健宏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | B01J23/72 | 分类号： | B01J23/72;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 极低带隙 掺杂 tio base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）将8g的CuCl2•2H2O放入100mL的5℃的水中，得到A液；
（2）在磁力搅拌条件下，在步骤（1）的A液中滴加50mL四正丁醇钛，滴加完毕后继续搅拌40min，四正丁醇钛的滴加速度为0.6mL/s，得到B液，磁力搅拌转速为1600rpm；
（3）在步骤（2）的B液中滴加6mL硝酸，硝酸的质量分数为70%，硝酸的滴加速度为0.2mL/s，滴加完毕后继续搅拌40min，得到C液；
（4）步骤（3）的C液60℃真空旋转吸盘干燥，然后继续在真空旋转吸盘上加热至100℃干燥直到完全消除水分；
（5）步骤（4）的产物在460℃保温1h，得到具有极低带隙的铜掺杂TiO2纳米颗粒。
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