[发明专利]一种光阻剥离方法

说明书

本发明提供一种光阻剥离方法，所述光阻剥离方法至少包括步骤S10：提供一块基板，在所述基板上涂布一层光阻，形成光阻层；步骤S20：施加变化的空间电场，使所述光阻层产生形变，对所述光阻层进行脱膜工艺；其中，所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化的添加剂。本发明通过对待去除光阻的基板施加变化的空间电场，使光阻内的电荷重新排布，并与光组内添加剂产生的偶极子进行转动，使得光阻发生反复变形，增大脱膜液与光阻的接触面积，从而减小光阻与相邻膜层之间的粘附力，使光阻更加易于剥离。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种光阻剥离方法。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxide)作为铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，因此，它是液晶显示面板中透明电极最常用的薄膜材料。现有制备ITO图形的方法为光阻湿法腐蚀法，在基板上蒸镀一层ITO薄膜，然后在其上用光阻进行曝光、显影、刻蚀，制备出ITO图案，再利用腐蚀液浸泡，将光阻去除，最终得到所述的ITO图案。在光刻工艺中，有一种替代刻蚀方法的工艺，我们称之为剥离工艺(Lift-off)。在剥离工艺中，首先形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试剂去除光阻，此时连同不需要的ITO薄膜一起去除，这个过程正好与刻蚀过程相反。

这种方法主要采用的是湿法腐蚀光阻，其弊端是光阻的粘附性太强，致使光阻腐蚀不彻底，残留的光阻难以发现，会导致后续刻蚀出现黑点，造成漏电等情况，同时ITO作为粉末微晶体，质地疏松，在湿法腐蚀过程中，易形成横向侵蚀，造成边缘毛刺，也会形成漏电通道。

综上所述，现有光阻剥离方法不能有效的去除光阻。故，有必要提供一种光阻剥离方法来改善这一缺陷。

发明内容

本发明提供一光阻剥离方法，用于解决现有技术不能有效剥离光阻的问题。

本发明提供一种光阻剥离方法，所述光阻剥离方法包括：

步骤S10：提供一块基板,在所述基板上涂布一层光阻，形成光阻层；

步骤S20：施加变化的空间电场，使所述光阻层产生形变，对所述光阻层进行脱膜工艺；

其中，所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化的添加剂。

根据本发明一优选实施例，所述基板包括：

玻璃基板；

栅极线层，所述栅极线层设置于所述玻璃基板上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极线层上；

非晶硅层，所述非晶硅层设置于所述栅极绝缘层上；

源漏电极层，所述源漏电极层设置于所述栅极绝缘层上；

钝化保护层，所述钝化保护层设置于所述源漏电极层上。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S10包括：

步骤S101：提供所述基板，对所述基板进行半掩膜工艺制程，使所述钝化保护层图案化；

步骤S102：在所述钝化保护层上沉积一层光阻，形成所述光阻层，对所述钝化保护层进行干刻蚀工艺，形成通孔；

步骤S103：在所述光阻层上沉积一层氧化铟锡薄膜，形成像素电极层。

根据本发明一优选实施例，所述空间电场为交变电场。

根据本发明一优选实施例，所述添加剂是有机压电薄膜、电活性分子或凝胶类材料其中的一种。

根据本发明一优选实施例，所述添加剂由二丙烯酸酯、单丙烯酸酯、光敏触发剂组成。

根据本发明一优选实施例，所述光阻层产生形变量的大小通过调整所述空间电场的强度进行调节。