[发明专利]一种光阻剥离方法

权利要求书

1.一种光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻剥离方法包括：

步骤S10：提供一块基板，在所述基板上涂布一层光阻，形成光阻层；

步骤S20：施加变化的空间电场，使所述光阻层产生形变，对所述光阻层进行脱膜工艺；

其中，所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化的添加剂，所述空间电场为交变电场。

2.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述基板包括：

玻璃基板；

栅极线层，所述栅极线层设置于所述玻璃基板上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极线层上；

非晶硅层，所述非晶硅层设置于所述栅极绝缘层上；

源漏电极层，所述源漏电极层设置于所述栅极绝缘层上；

钝化保护层，所述钝化保护层设置于所述源漏电极层上。

3.如权利要求2所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述步骤S10包括：

步骤S101：提供所述基板，对所述基板进行半掩膜工艺制程，使所述钝化保护层图案化；

步骤S102：在所述钝化保护层上沉积一层光阻，形成所述光阻层，对所述钝化保护层进行干刻蚀工艺，形成通孔；

步骤S103：在所述光阻层上沉积一层氧化铟锡薄膜，形成像素电极层。

4.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述添加剂是有机压电薄膜、电活性分子或凝胶类材料其中的一种。

5.如权利要求4所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述添加剂由二丙烯酸酯、单丙烯酸酯、光敏触发剂组成。

6.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻层产生形变量的大小通过调整所述空间电场的强度进行调节。

7.如权利要求6所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述空间电场设置于脱模机内。

8.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻为正性光阻。

9.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻层的厚度小于4μm。