[发明专利]立式热处理装置

说明书

本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。

技术领域

本发明涉及一种立式热处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造中，使用各种处理装置来对基板实施处理。作为处理装置之一，已知一种能够一次性进行多个基板的热处理的批量式的立式热处理装置。在立式热处理装置中，例如从沿着收容基板的处理容器的内周面上下延伸地设置的气体喷嘴朝向基板以水平方向供给原料气体，由此在基板的表面形成膜。

在立式热处理装置中，当使热处理的温度提高到原料气体的热分解温度以上时，有时原料气体在气体喷嘴内热分解并且分解物附着于气体喷嘴的内壁。当附着于气体喷嘴的内壁的分解物的量增多时，分解物在热处理的中途从气体喷嘴的内壁剥离而成为产生微粒的原因。

作为减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的量的装置，已知一种具备如下的气体喷嘴的装置，所述气体喷嘴将与基板假片区域相向的区域的气孔的开口面积设定得比与产品基板区域对应的区域的气孔的开口面积大(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2014-63959号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的装置中，与产品基板区域对应的区域同与基板假片区域对应的区域的气孔的开口面积不同，因此在靠近基板假片区域的产品基板区域中，原料气体的流动容易产生偏差，担心面间均匀性下降。

因此，在本发明的一个方式中，其目的在于提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。

发明的效果

根据公开的立式热处理装置，能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且能够减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的立式热处理装置的一例的截面图。

图2是在图1中的一点划线A-A处进行剖切得到的截面图。

图3是表示图1的立式热处理装置的气体喷嘴的第一结构例的立体图。

图4是在图1中的一点划线B-B处进行剖切得到的截面图。

图5是表示图1的立式热处理装置的气体喷嘴的第二结构例的立体图。

图6是表示图1的立式热处理装置的气体喷嘴的第三结构例的立体图。