[发明专利]一种硅光相干收发芯片结构在审
| 申请号： | 201811558862.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109474343A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王磊;肖希;陈代高;张宇光;李淼峰;胡晓;冯朋;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/40 | 分类号： | H04B10/40 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 彭程程 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅光 选模 收发芯片 相干 集成芯片 双向功率 分配器 分束器 耦合器 半导体光放大器 可调谐激光器 光子集成器件 光波导连接 透射端 有效地 功耗 反射 节约 | ||
1.一种硅光相干收发芯片结构，其特征在于，其包括：
硅光集成芯片(9)；
可调谐激光器，其包括半导体光放大器(1)以及集成于所述硅光集成芯片(9)的耦合器(2)、双向功率分配器(3)、分束器(4)、第一选模结构(5)和第二选模结构(6)，所述半导体光放大器(1)设置于所述硅光集成芯片(9)边缘，其透射端靠近所述耦合器(2)设置，所述耦合器(2)、双向功率分配器(3)和分束器(4)依次通过光波导连接，所述分束器(4)的两个分端口分别连接第一选模结构(5)和第二选模结构(6)。
2.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述耦合器(2)连接双向功率分配器(3)的第一直通端(11)，所述双向功率分配器(3)的第二直通端(12)连接所述分束器(4)的合端口。
3.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述硅光集成芯片(9)上集成有相干调制器(7)和相干接收机(8)。
4.如权利要求3所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述双向功率分配器(3)的第一分光端(10)连接相干调制器(7)的输入端，所述双向功率分配器(3)的第二分光端(13)连接相干接收机(8)的本振端。
5.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述耦合器(2)采用倒锥耦合器结构。
6.如权利要求5所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述耦合器(2)的光模场尺寸与所述半导体光放大器(1)的光模场尺寸相同。
7.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述双向功率分配器(3)采用定向耦合器或多模干涉器结构。
8.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述分束器(4)采用多模干涉器或Y分支结构。
9.如权利要求1所述的硅光相干收发芯片结构，其特征在于：所述第一选模结构(5)和第二选模结构(6)采用光栅或微环结构。
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