[发明专利]一种HDDR制备钕铁硼材料的方法及制备得到的钕铁硼材料

说明书

本发明涉及钕铁硼材料技术领域，尤其是涉及一种HDDR制备钕铁硼材料的方法及制备得到的钕铁硼材料。所述方法包括：以at％计，按Nd₁₃Fe_(75‑a)Co_aB_6.4Zr_bMo_cCu_dZn_{(5.6‑b‑c‑d)}的比例以金属钕、铁、硼铁、电解钴、金属锆、金属钼、金属铜、金属锌配料，熔炼、浇铸得到合金铸锭，制备速凝铸片；氩气保护下，速凝铸片于900‑1000℃热处理1‑2h；热处理后，将速凝铸片进行HDDR处理，得到钕铁硼材料；其中，a＝14‑15，b+c＝1.5‑3.2，d＝1.2‑1.4。本发明通过调整合适原料及HDDR各步骤工艺条件，无需预先长时间均质化热处理，能得到性能优异的钕铁硼材料。

技术领域

本发明涉及钕铁硼材料技术领域，尤其是涉及一种HDDR制备钕铁硼材料的方法及制备得到的钕铁硼材料。

背景技术

氢化-歧化-脱氢-再复合工艺(HDDR，Hydrogenation–Decomposition –Desorption-Recombination)是目前制备各向异性钕铁硼磁粉的比较实用的方法。采用HDDR工艺可使原始母合金粗大晶粒转变为大量约为0.3μm平均晶粒尺寸的亚微米细晶粒，这些亚微米晶粒的尺寸接近Nd₂Fe₁₄B相单磁畴尺寸，并且沿着原始母合金晶粒的易磁化轴方向一致排列，从而磁粉颗粒对外表现出高各向异性。

但现有常规的HDDR工艺中，需要在1100-1200℃的温度条件下，经过约24后的热处理，才能进行HDDR工艺，耗费大量的时间和能源。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种HDDR制备钕铁硼材料的方法，所述制备的方法，通过调整合适原料及HDDR各步骤工艺条件，无需预先长时间均质化热处理，能得到性能优异的钕铁硼材料，提高生产效率。

本发明的第二目的在于提供一种采用所述HDDR制备钕铁硼材料的方法制备得到的HDDR钕铁硼材料。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种HDDR制备钕铁硼材料的方法，包括如下步骤：

(a)以at％计，按Nd₁₃Fe_(75-a)Co_aB_6.4Zr_bMo_cCu_dZn_(5.6-b-c-d)的比例以金属钕、铁、硼铁、电解钴、金属锆、金属钼、金属铜、金属锌配料，于氩气保护下熔炼，浇铸得到合金铸锭；合金铸锭破碎，制备速凝铸片；

(b)氩气保护下，速凝铸片于900-1000℃热处理1-2h；

(c)热处理后，将速凝铸片进行HDDR处理，得到钕铁硼材料；

其中，a＝14-15，b+c＝1.5-3.2，d＝1.2-1.4。

本发明通过调整钕铁硼原料配比，在其中掺杂特定量的锆、钼、铜和锌，锆和钼的加入，能够抑制软磁性α-Fe以及Nd(Fe、Co)₂相的生成，从而增强磁去耦，抑制主相晶粒长大，可生成新的硼化物相部分替代富Nd相，提高耐蚀性能；并且，锆的加入在材料中存在富Zr相，并且在富Nd相和富B相中溶入一定量的Zr，主要分布在晶间区域，部分Zr进入主相中，稳定了主相，抑制了主相的歧化分解，未分解的主相粒子在脱氢重组过程中，成为主相晶粒择优形核长大的晶粒，使得重组晶粒取向排列，从而提高磁性能；锌和铜的加入，与Nd和Fe形成二元或三元相，形成非磁性晶界相，使主相磁去耦，提高矫顽力，同时抑制主相晶粒长大，而且部分代替易腐蚀的富Nd相，提高耐腐蚀性。