[发明专利]喷淋结构及反应腔室

说明书

本发明提供的喷淋结构及反应腔室，包括喷头主体和喷淋臂，喷淋主体的中心轴垂直于晶片表面设置，以向晶片表面进行喷淋，还包括第一旋转驱动结构，第一旋转驱动结构分别与喷淋臂和喷头主体连接，用于驱动喷头主体围绕中心轴自转。通过设置第一旋转驱动结构，使喷头主体进行自转，喷头主体由柱状喷洒转变为面状覆盖喷洒，形成的周向旋转动能能够有效地去除晶片的表面静电和颗粒，改善对晶片的清洗效果。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种喷淋结构及反应腔室。

背景技术

在晶圆的生产过程中，易产生一些污染物，这些污染物包括：金属污染物，化学污染物以及落尘等。随着半导体产业的迅速发展，集成电路设计迅速发展，越来越小的线宽使得各种深亚微米尺寸的分子微粒或更小尺寸的原子微粒对当前工艺条件下的集成电路造成的影响越发明显。

现有技术中，对这些污染物的去除通常采用冲洗的方式进行清洗。但是，在向晶圆表面喷射化学溶液及去离子水，以对晶圆表面进行清洗的过程中，由于喷射化学溶液及去离子水的喷头由单独的药液管路形成，其覆盖晶圆表面的面积有限，因此，液体冲刷速度有限，裹挟能力不高。同时，晶圆表面静电越靠近边缘分布越密集，又使得化学溶液及去离子水中的微粒受到的静电吸附作用越靠近边缘越强烈，因此一些体积较小的微粒会由于静电的作用而被吸附在晶圆表面无法清除，极大的影响晶圆的良率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种喷淋结构及反应腔室。

为解决上述问题，本发明提供了一种喷淋结构，包括喷头主体和喷淋臂，所述喷头主体的中心轴垂直于晶片表面设置，用于向所述晶片表面进行喷淋，还包括：

第一旋转驱动结构，所述第一旋转驱动结构分别与所述喷淋臂和所述喷头主体连接，用于驱动所述喷头主体围绕所述中心轴自转。

进一步地，所述第一旋转驱动结构包括中空轴旋转电机；所述中空轴旋转电机包括能够转动的中空轴，所述中空轴与所述喷头主体同轴连接；所述中空轴旋转电机固定连接所述喷淋臂。

进一步地，还包括第二旋转驱动结构，所述第二旋转驱动结构包括能转动的输出轴；

所述喷淋臂连接所述输出轴；

所述第二旋转驱动结构用于驱动所述喷淋臂跟随所述输出轴转动。

进一步地，所述第二旋转驱动结构还包括承载安装件、旋转电机和传动件，所述旋转电机固定安装在所述承载安装件上，所述输出轴转动安装在所述承载安装件上；所述传动件分别连接所述旋转电机和所述输出轴，使所述旋转电机驱动所述输出轴转动。

进一步地，所述第一旋转驱动结构还包括法兰，所述中空轴通过所述法兰与所述喷头主体连接。

进一步地，所述喷头主体中设有密封腔，所述喷头主体朝向所述晶片的端面设有多个与所述密封腔连通的出水口；一输水管穿过所述中空轴旋转电机和所述法兰伸入到所述密封腔。

进一步地，还包括升降驱动结构，所述升降驱动结构与所述喷淋臂连接，用于驱动所述喷淋臂进行升降运动。

进一步地，还包括升降驱动结构，所述升降驱动结构包括驱动部件和连接件，所述驱动部件通过所述连接件与所述承载安装件连接，以驱动所述第二旋转驱动结构与所述喷淋臂整体进行升降运动。

进一步地，还包括第二旋转驱动结构和升降驱动结构，所述第二旋转驱动结构包括能转动的输出轴；所述输出轴通过所述升降驱动结构与所述喷淋臂连接；

所述升降驱动结构用于驱动所述喷淋臂进行升降运动；所述第二旋转驱动结构用于驱动所述升降驱动结构与所述喷淋臂整体跟随所述输出轴转动。